[发明专利]量子点电致发光器件及显示器

权利要求书

1.一种量子点电致发光器件，其特征在于，包括基底、阳极层、发光层、电子传输层和惰性金属层，所述阳极层设于所述基底上，所述发光层设于所述阳极层上，所述电子传输层设于所述发光层上，所述惰性金属层设于所述电子传输层上；所述发光层为量子点发光层；所述电子传输层包括层叠设置的无机电子传输层和有机电子传输层；所述惰性金属层中含有金属活动性排在氢之后的惰性金属。

2.如权利要求1所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层构成阴极层；或者

所述惰性金属层构成电子注入层，所述量子点电致发光器件还包括设于所述惰性金属层之上的阴极层，且所述阴极层的材质不同于所述惰性金属层的材质。

3.如权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属选自铜、银、铂及金中的至少一种。

4.如权利要求2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层中除所述惰性金属之外，还含有金属活动性较所述惰性金属活跃的其他金属。

5.如权利要求4所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述其他金属选自镁、钙、铝及镱中的至少一种。

6.如权利要求4所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述惰性金属层中惰性金属与其他金属的体积比是99:1～50:50。

7.如权利要求1～6中任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述无机电子传输层的材质选自不掺杂或用镁、钇以及钪中至少一种金属掺杂的ZnO和/或TiO₂；和/或

所述有机电子传输层的材质选自含有或不含有取代基的蒽、芴、三嗪、萘、菲、、芘、喹啉、荧蒽、苯并蒽、邻菲罗啉、三亚苯、吡啶、嘧啶、咪唑、二唑、噁二唑以及上述各化合物的衍生物中的至少一种；和/或

所述量子点发光层的材质选自以CdSe、CdS、CdTe、PbS、PbTe、ZnSe、InP、CuZnS、CuZnSe、CuZnCdS、CuZnInSe以及CuInP为核心的量子点中的至少一种。

8.如权利要求1～6中任一项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述无机电子传输层的材质是ZnO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是Ag；或者

所述无机电子传输层的材质是ZnO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是AgMg合金；或者

所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是Alq3，所述惰性金属层的材质是Ag；或者

所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是N-164，所述惰性金属层的材质是Ag；或者

所述无机电子传输层的材质是ZnMgO，所述有机电子传输层的材质是N-164与LiQ的混合材质，所述惰性金属层的材质是Ag。

9.如权利要求8所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述无机电子传输层的厚度是15nm～30nm；所述有机电子传输层的厚度是10nm～20nm；所述惰性金属层的厚度是8nm～20nm或者是150nm～200nm。

10.如权利要求9所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质是CdSe核/ZnS壳量子点，厚度是15nm～25nm。

11.一种显示器，其特征在于，含有如权利要求1～10中任一项所述的量子点电致发光器件。