[发明专利]一种提高速度和保持数据时间的存储器

权利要求书

1.一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，包括：

一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；

所述嵌入式动态随机存储器与所述非易失性存储器连接，所述嵌入式动态随机存储器和所述非易失性存储器分别与一外部处理器连接；

所述外部处理器对所述嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，所述外部处理器对所述非易失性存储器进行读数据操作，所述嵌入式动态随机存储器将数据转移至所述非易失性存储器中保存；

所述嵌入式动态随机存储器于绝缘体上硅工艺制作，包括至少两个晶体管及一电容，至少两个所述晶体管的场效应管沟道的下方增加一背栅，用以调节所述背栅的电压来调节所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，以提高所述嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间。

2.根据权利要求1所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述一种提高速度和保持数据时间的存储器的读写数据操作包括频繁写数据操作；和或

频繁读数据操作；和或

非频繁读写数据操作。

3.根据权利要求2所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述频繁写数据操作于所述嵌入式动态随机存储器中进行，包括调节所述背栅的电压，以降低所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，增大电流密度，提高所述嵌入式动态随机存储器的读写数据速度。

4.根据权利要求2所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述频繁读数据操作于所述非易失性存储器中进行所述读数据操作。

5.根据权利要求2所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述非频繁读写数据操作于所述嵌入式动态随机存储器中进行，包括调节所述背栅的电压，增加所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，减小电流密度，提高所述嵌入式动态随机存储器的数据保持时间，降低所述嵌入式动态随机存储器的刷新频率。

6.根据权利要求1所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括相变存储器；和或

铁电存储器；和或

磁性存储器；和或

阻变存储器。

7.根据权利要求3所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述嵌入式动态随机存储器进行所述频繁写数据操作的写数据操作频率大于所述嵌入式动态随机存储器的刷新频率。

8.根据权利要求3所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，于进行所述频繁写数据操作时，

对于N型的所述晶体管，以调节所述背栅的电压为正，且大于一特定电压值x；

对于P型的所述晶体管，以调节所述背栅的电压为负，且小于一特定电压值y；

其中，x≠y。

9.根据权利要求5所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，于所述非频繁读写数据操作时，

对于N型的所述晶体管，以调节所述背栅的电压为负，且小于一特定电压值m；

对于P型的所述晶体管，以调节所述背栅的电压为正，且大于一特定电压值n；

其中，m≠n。

10.根据权利要求1所述一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述绝缘体上硅工艺结合背栅调控技术适用于任何其它片上嵌入式系统。