[发明专利]一种减少太阳电池栅线遮挡损失的光伏玻璃结构及其制备方法有效
申请号: | 201811626616.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109860323B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 李晓东;孙希鹏;铁剑锐;杜永超;梁存宝;王鑫;许军;张智全 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 太阳电池 遮挡 损失 玻璃 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种减少太阳电池栅线遮挡损失的光伏玻璃结构及其制备方法,结构包括光伏玻璃的上表面设置V形槽组,V形槽组包括多个并列的设置V形槽,V形槽组的组数和硅太阳电池上表面栅线的数量相同;方法为在光伏玻璃的上表面设置与硅太阳电池上表面栅线的数量相同的V形槽组,V形槽组位于硅太阳电池上表面栅线的正上方;V型槽角度、V型槽组中所含V型槽条数,V型槽在最大23°26′入射角下能使入射光绕离栅线区域,能适应四季太阳高度角的最大变化。本发明的有益效果:在光伏玻璃上设置V形槽组,减少了太阳电池表面栅线对太阳电池的遮挡效应,并能够通过计算获得满足最大入射角为θ条件下保持减遮挡效果的V型槽角度和V型槽组的宽度。
技术领域
本发明属于太阳电池领域,尤其是涉及一种减少太阳电池栅线遮挡损失的光伏玻璃结构及其制备方法。
背景技术
太阳能是一种取之不尽用之不竭的能源,采用太阳电池可以将太阳能转换为电能,这种发电方式清洁无污染,前景非常广阔。太阳电池一般采用硅作为主要原材料,利用硅半导体的光电效应特性,采用大面积硅二极管结构实现对阳光的有效接收,并使用表面栅线将光生电流导出到外电路,实现发电的功能。
在将硅太阳电池片加工为电池组件产品的过程中,采用层压的方式把光伏玻璃覆盖在硅太阳电池表面,达到保护的作用。光伏玻璃的制备方式一般为压延法。压延法制备光伏玻璃的流程是将玻璃液由池窖沿着流道流出,送入成对的用水冷却的中空压辊,经过辊压成为玻璃平板,再送入退火窑退火,最终得到成形的玻璃产品。
当前太阳电池用光伏玻璃的功能主要有两部分:保护和减反射。为增强光伏玻璃的减反射作用,有一种工艺采用花辊压花的方式,在光伏玻璃表面形成均匀分布的压花结构,达到入射光漫入射到电池表面的效果[公告号:101967041B]。然而,由于绝大多数太阳电池的栅线都分布在太阳电池正表面,经过光伏玻璃入射的光(无论是正入射还是漫入射)都没有能力降低栅线对太阳电池表面造成的遮挡损失。
为解决栅线遮挡损失,我们在申请号为“201810769159.8”和“201810769777.2”的专利中阐述了基于光伏玻璃减少太阳电池柵线遮挡损失的方法,通过在光伏玻璃表面压花出与栅线相同的图形,从而实现入射光线绕射过栅线而被太阳电池吸收。然而,由于太阳轨道在南北回归线之间(S23°26′-N23°26′)移动,会带来四季太阳高度角的变化,在太阳电池板倾角无法调节的情况下,太阳电池会面临由太阳高度角的变化而引起减遮挡措施失效的问题。
发明内容
本发明的目的在于:提出一种减少太阳电池柵线遮挡损失的、能适应四季太阳高度角变化的、减少太阳电池栅线损失的光伏玻璃设计方法;该基于光伏玻璃减少太阳电池柵线遮挡损失的方法及玻璃能够克服现有技术中存在的由于表面栅线遮挡,降低太阳电池转换效率,或者受制于太阳高度角变化而无法有效减少栅线遮挡的问题。
为解决上述问题,本发明的技术方案为:一种减少太阳电池栅线遮挡损失的光伏玻璃的结构,其特征在于所述光伏玻璃的上表面设置V形槽组,所述V形槽组包括N条并列的设置V形槽,所述V形槽组的组数和硅太阳电池上表面栅线的数量相同。
进一步地,所述光伏玻璃覆盖在硅太阳电池上表面,所述V形槽组位于硅太阳电池上表面栅线的正上方。
进一步地,硅太阳电池上表面每条所述栅线正上方设置一个所述V形槽组,N为大于1的自然数,且每个V形槽组的端口宽度之和小于栅线间距。
一种减少太阳电池栅线遮挡损失的光伏玻璃结构及制的方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:在光伏玻璃的上表面设计并列V形槽组,所述V形槽组包括N 条并列的设置V形槽,所述V形槽组的组数和硅太阳电池上表面栅线的数量相同;
步骤2:为适应四季太阳高度角的最大变化,设置V型槽角度、V型槽的尺寸、V型槽组中所含V型槽条数,使V型槽在最大23°26′入射角下使入射光绕离栅线区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司,未经中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811626616.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的