[发明专利]电平转换器及其操作方法及包括电平转换器的门驱动电路有效
申请号: | 201811626833.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN110098823B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 陈建宏;陈昆龙 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/003 | 分类号: | H03K5/003;H03K17/56;H02M1/08 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 转换器 及其 操作方法 包括 驱动 电路 | ||
1.一种电平转换器电路,包括:
晶体管;
第一电阻器,从所述晶体管的第一源极/漏极电连接至电源节点;以及
第二电阻器,从所述晶体管的第二源极/漏极电连接至参考节点;
其中,所述第一电阻器和第二电阻器具有相同的温度系数且包括III-V族半导体材料。
2.根据权利要求1所述的电平转换器电路,其中,所述第一电阻器和所述第二电阻器的温度系数较高,使得根据温度上每摄氏度的变化,所述第一电阻器和所述第二电阻器的电阻的变化超过1%。
3.根据权利要求1所述的电平转换器电路,其中,所述晶体管是高电子迁移率晶体管(HEMT)。
4.根据权利要求1所述的电平转换器电路,其中,所述第一电阻器和所述第二电阻器是二维电子气体(2DEG)电阻器。
5.一种门驱动电路,包括:
电平转换器,包括晶体管、第一电阻器和第二电阻器,其中,所述第一电阻器从所述晶体管的第一源极/漏极电连接至动态电源节点,并且,所述第二电阻器从所述晶体管的第二源极/漏极电连接至参考节点;以及
高侧门驱动器,包括分别电连接至所述动态电源节点和动态返回节点的电源端子,其中,所述高侧门驱动器配置为由所述电平转换器的输出控制。
6.根据权利要求5所述的门驱动电路,其中,所述晶体管、所述第一电阻器和所述第二电阻器均包括III-V族异质结结构的部分。
7.根据权利要求5所述的门驱动电路,还包括:
自举电路,包括自举开关和自举电容器,其中,所述自举电容器从所述动态电源节点电连接至所述动态返回节点,并且,所述自举开关电连接至所述动态电源节点。
8.根据权利要求7所述的门驱动电路,其中,所述自举开关包括自举二极管,并且,所述自举二极管的阴极电连接至所述动态电源节点。
9.一种操作电平转换器的方法,包括:
提供包括第一电阻器,第二电阻器和晶体管的所述电平转换器,其中,所述第一电阻器和所述第二电阻器分别位于所述晶体管的源极和漏极端子处;
从所述第一电阻器的端子到所述第二电阻器的端子来对所述电平转换器的两端施加动态电源电压,其中,使用自举电路生成所述动态电源电压,并且所述动态电源电压处于在低压域和高压域之间交替的动态电压域中;
将输入信号施加至所述晶体管的栅极,其中,所述输入信号处于低压域;以及
由所述输入信号生成输出信号,其中,在所述第一电阻器和所述晶体管共用的节点处生成所述输出信号,并且,所述输出信号处于所述动态电压域中。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一电阻器和所述第二电阻器是二维电子气体(2DEG)电阻器,并且所述晶体管是n型高电子迁移率晶体管(HEMT)。
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