[发明专利]一种垂直LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直LED芯片，其特征在于，包括：

导电衬底；

功能结构，位于所述导电衬底的一侧；

n电极，位于所述功能结构背离所述导电衬底的一侧；

p电极，位于所述导电衬底的另一侧；以及

反射结构，所述反射结构与所述功能结构位于所述导电衬底的同侧，所述反射结构间隙的设置在所述功能结构外侧，且所述反射结构至少部分包围所述功能结构，所述反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从功能结构侧壁射出的光线反射回去。

2.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构整体呈环状且包围所述功能结构。

3.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构包括多个子结构，所述多个子结构呈环状分布，且包围所述功能结构。

4.如权利要求1-3中任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构与所述功能结构之间的最小距离大于5μm，且所述反射结构的高度不高于所述功能结构的高度。

5.如权利要求1-3中任一项所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述反射结构包括反射基底和表面反射层，所述表面反射层至少部分位于所述反射基底靠近所述功能结构一侧的侧壁上。

6.如权利要求4所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述表面反射层的反射率大于等于75％。

7.如权利要求1所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述功能结构包括依次叠加在所述导电衬底上的反射层、p型GaN层、多量子阱层、n型GaN层，还包括位于所述反射层、p型GaN层、多量子阱层和n型GaN层的侧壁以及所述n型GaN层上表面的绝缘层，其中，所述绝缘层暴露部分所述n电极背离所述导电衬底的表面。

8.一种垂直LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将一导电衬底置于一反应腔室内，所述导电衬底的一侧上形成有若干功能结构以及位于相邻所述功能结构之间的划片道，所述导电衬底的另一侧上形成有p电极；

向所述反应腔室内通入刻蚀气体，且同时开启激励电源和偏压电源，以在所述划片道上形成隔离槽，并在隔离槽达到预设深度时，终止通入刻蚀气体，并关闭激励电源和偏压电源，其中，所述隔离槽暴露所述导电衬底，且所述隔离槽电性隔离相邻所述功能结构；

在所述功能结构背离所述导电衬底上形成n电极；

在所述划片道上形成反射结构，所述隔离槽位于所述反射结构与相邻所述功能结构之间，所述反射结构至少部分包围所述功能结构，所述反射结构用于在垂直LED芯片工作时将从功能结构侧壁射出的光线反射回去；以及

沿所述划片道进行切割处理，以得到单颗的垂直LED芯片，每颗所述垂直LED芯片均包括至少部分包围所述功能结构的反射结构。

9.如权利要求8所述的垂直LED芯片的制备方法，其特征在于，所述反射结构与所述功能结构之间的最小距离大于5μm，且所述反射结构的高度不高于所述功能结构的高度。

10.如权利要求8所述的垂直LED芯片的制备方法，其特征在于，所述反射结构包括第二反射层和表面反射层，所述表面反射层至少部分位于所述第二反射层靠近所述功能结构一侧的侧壁上。