[发明专利]显示面板及显示模组、电子装置在审
申请号: | 201811627052.6 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109585520A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 范英春;张晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 存储电容 发光器件 阵列基板 电子装置 透明材料 显示模组 基板 薄膜晶体管单元 存储电容区 膜层结构 显示效果 正投影面 开口率 重合 申请 制作 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,包括基板、及位于所述基板上的薄膜晶体管单元和存储电容;
位于所述阵列基板上的发光器件层;
所述存储电容在所述发光器件层上正投影面与所述发光器件层部分重合;
其中,所述存储电容内的膜层结构由透明材料制成。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的多层绝缘层、位于所述多层绝缘层上的第四电极;
其中,所述第一电极、所述第四电极、及所述多层绝缘层由透明材料制成。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接;
所述第一电极、所述第四电极形成所述显示面板的所述存储电容。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括第一过孔;
所述第一过孔位于所述第四电极上;
所述发光器件层中的阳极层通过所述第一过孔与所述第四电极电连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括第一过孔;
所述第一过孔位于所述源漏极上;
所述发光器件层中的阳极层通过所述第一过孔与所述源漏极电连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的第四电极;
其中,所述第一电极、所述第二电极、所述第四电极、所述第一绝缘层、及第三绝缘层由透明材料制成。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置;
所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的有源层同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极与所述薄膜晶体管单元中的遮光层同层设置;
所述第二电极与所述薄膜晶体管单元中的栅极同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元中的源漏极同层设置;
所述第四电极与所述薄膜晶体管单元的所述源漏极电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一电极、所述第二电极形成所述显示面板的第一电容,
所述第二电极、所述第四电极形成所述显示面板的第二电容。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述存储电容包括位于所述基板上的第一电极、位于所述第一电极上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二电极、位于所述第二电极上的第二绝缘层、及位于所述第二绝缘层上的第三电极、位于所述第三电极上的第三绝缘层、及位于所述第三绝缘层上的第四电极;
其中,所述第一电极、所述第二电极、第三电极、所述第四电极、第一绝缘层、第二绝缘层、及第三绝缘层由透明材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的