[发明专利]血糖传感器的电极元件及其制备方法、血糖传感器

权利要求书

1.一种血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述电极元件包括工作电极，所述工作电极包括石墨烯复合层，所述石墨烯复合层包括3D石墨烯以及负载于所述3D石墨烯中的纳米材料，所述纳米材料中含有金属元素。

2.根据权利要求1所述的血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述纳米材料包括金属、金属氧化物、金属化合物的至少一种。

3.根据权利要求1所述的血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述纳米材料包括金属铜、氧化亚铜或者氧化铜中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述电极元件还包括柔性衬底，所述工作电极设置于所述柔性衬底上。

5.根据权利要求4所述的血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述柔性衬底的材料包括聚二甲基硅氧烷、聚氨酯弹性体、聚三亚甲基碳酸酯中的一种。

6.根据权利要求4所述的血糖传感器的电极元件，其特征在于，所述电极元件还包括设置于所述柔性衬底上的参比电极和辅助电极，所述工作电极、所述参比电极和所述辅助电极相互间隔。

7.一种血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供柔性衬底和纳米材料，其中所述纳米材料含有金属元素；

在所述柔性衬底上形成3D石墨烯预制电极；

将所述纳米材料负载于所述3D石墨烯预制电极中，形成工作电极，得到电极元件。

8.根据权利要求7所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，在所述柔性衬底上形成所述3D石墨烯预制电极的方法包括：

提供一高分子薄膜；

采用激光直写方法在所述高分子薄膜上形成3D石墨烯预制电极；

将所述3D石墨烯预制电极转印至所述柔性衬底上。

9.根据权利要求8所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，所述高分子薄膜包括聚酰亚胺薄膜。

10.根据权利要求8所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，所述激光直写方法的激光波长大于355nm，激光单脉冲能量为20μJ～300μJ，激光扫描速度为100mm/s～1000mm/s。

11.根据权利要求7所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，在所述柔性衬底上形成所述3D石墨烯预制电极的方法包括：

在所述柔性衬底上形成氧化石墨烯层；

采用激光直写方法将所述氧化石墨烯层还原，形成3D石墨烯预制电极。

12.根据权利要求11所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，所述激光直写方法的激光单脉冲能量为10μJ～300μJ，激光扫描速度为50mm/s～1000mm/s。

13.根据权利要求7所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，所述纳米材料通过电化学沉积方法负载于所述3D石墨烯预制电极中。

14.根据权利要求7所述的血糖传感器的电极元件的制备方法，其特征在于，还包括在所述柔性衬底上形成参比电极和辅助电极，所述参比电极、所述辅助电极和所述工作电极相互间隔。

15.一种血糖传感器，其特征在于，所述血糖传感器包括如权利要求1～6任一项所述的电极元件。