[发明专利]一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811627613.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109742186A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 赵英杰;钟福新;王晓娟;伍泳斌;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0272;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 反应釜 制备 烘箱 一步水热合成 反应釜内壁 聚四氟乙烯 水热反应釜 光电性能 设备要求 光电压 盖子 放入 斜靠 掺杂 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：
(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00 mL浓度为0.05 ~ 0.40 mol/L 的CuSO4•5H2O溶液和4.00 mL浓度为0.000 mol/L ~ 0.005 mol/L 的CdSO4溶液并搅拌混合均匀，再加入2.00 mL浓度为0.10 ~ 0.50 mol/L的 NaOH溶液；
(2)将Cu片放入步骤(1) 反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃ ~ 120 ℃的烘箱中反应5 ~ 10 小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473 ~ 0.4602 V的Cd/Cu2O纳米薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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