[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种高压发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；

在所述第一凹槽内的N型半导体层上开设延伸至所述衬底的第二凹槽；

在所述第二凹槽内、以及所述第二凹槽周围的N型半导体层和P型半导体层上铺设绝缘层；

在所述绝缘层上沉积氧化硼硅并加热软化，形成台阶舒缓层，所述台阶舒缓层的上表面包括上水平端面、下水平端面、以及所述上水平端面和所述下水平端面的连接端面，所述连接端面与所述下水平端面之间的夹角为钝角；

在所述台阶舒缓层上设置连接电极，所述连接电极的一端延伸至所述台阶舒缓层周围的N型半导体层上，所述连接电极的另一端延伸至所述台阶舒缓层周围的P型半导体层上，并在未设置所述连接电极的N型半导体层上设置N型电极，未设置所述连接电极的P型半导体层上设置P型电极，

所述在所述绝缘层上沉积氧化硼硅并加热软化，包括：

在所述绝缘层上沉积形成氧化硼硅层，所述氧化硼硅层中硼组分的含量沿所述氧化硼硅层的沉积方向逐渐增大，且所述氧化硼硅层中硼组分的含量从5％逐渐增大至10％，沉积所述氧化硼硅层的过程中向反应室内通入B₂H₆，并逐渐增大通入B₂H₆的流量；

对所述氧化硼硅层加热，所述氧化硼硅层软化形成所述台阶舒缓层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，加热的温度为800℃～900℃。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，加热的时间为20min～30min。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述台阶舒缓层的厚度为10000埃以上。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述台阶舒缓层上设置连接电极之前，在所述台阶舒缓层上沉积二氧化硅，形成包覆层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述包覆层的厚度为450埃～550埃。

7.根据权利要求1～3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述连接电极包括铝层，所述铝层的厚度为所述连接电极的厚度的50％以下。

8.一种高压发光二极管芯片，所述高压发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘层、连接电极、N型电极和P型电极；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型半导体层上设有延伸至所述衬底的第二凹槽，所述绝缘层铺设在所述第二凹槽内、以及所述第二凹槽周围的N型半导体层和P型半导体层上；其特征在于，所述高压发光二极管芯片还包括台阶舒缓层，所述台阶舒缓层由沉积在所述绝缘层上的氧化硼硅加热软化而成，所述氧化硼硅层中硼组分的含量沿所述氧化硼硅层的沉积方向逐渐增大，且所述氧化硼硅层中硼组分的含量从5％逐渐增大至10％，沉积所述氧化硼硅层的过程中向反应室内通入B₂H₆，并逐渐增大通入B₂H₆的流量，所述台阶舒缓层的上表面包括上水平端面、下水平端面、以及所述上水平端面和所述下水平端面的连接端面，所述连接端面与所述下水平端面之间的夹角为钝角；所述连接电极设置在所述台阶舒缓层上，所述连接电极的一端延伸至所述台阶舒缓层周围的N型半导体层上，所述连接电极的另一端延伸至所述台阶舒缓层周围的P型半导体层上；所述N型电极设置在未设置所述连接电极的N型半导体层上，所述P型电极设置在未设置所述连接电极的P型半导体层上。