[发明专利]一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高抗辐照能力的四结太阳电池结构，包括依次设置的金属薄膜衬底、高反射率金属层、介质层、薄型四结外延层；

所述薄型四结外延层包括依次设置的帽层、薄型GaInP电池、(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-yIn_yAs DBR、第一隧穿结、薄型GaAs电池、(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-yIn_yAs DBR、渐变缓冲层、第二隧穿结、薄型第一结In_xGa_1-xAs电池、(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-yIn_yAs DBR、渐变缓冲层、第三隧穿结、薄型第二结In_xGa_1-xAs电池；

帽层厚度范围为50nm～1000nm；

薄型GaInP电池厚度范围为200nm～1000nm；

(AlGa)_1-xIn_xAs/(AlGa)_1-yIn_yAs DBR厚度范围为30nm～300nm；

第一隧穿结厚度范围为10nm～100nm；

薄型GaAs电池包括n型掺杂的n-GaAs发射区层和p型掺杂的p-GaAs基区层，n-GaAs发射区厚度范围为10nm～100nm，p-GaAs基区层厚度范围为200nm～1000nm；

渐变缓冲层为In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs渐变层,厚度为500nm～5000nm；

第二隧穿结厚度范围为10nm～100nm；

薄型第一结In_xGa_1-xAs电池包括n型掺杂的n-In_xGa_1-xAs发射区以及p型掺杂的p-In_xGa_1-xAs基区，n-In_xGa_1-xAs发射区厚度范围为10nm～100nm，p-In_xGa_1-xAs基区厚度范围为200nm～1000nm；

第三隧穿结包括n型的In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs层和p型的In_x(Al_yGa_1-y)_1-xAs层，厚度范围为10nm～100nm；

薄型第二结In_xGa_1-xAs电池包括n型掺杂的n-In_xGa_1-xAs发射区以及p型掺杂的p-In_xGa_1-xAs基区，n-In_xGa_1-xAs发射区厚度范围为10nm～100nm，p-In_xGa_1-xAs基区厚度范围为200nm～1000nm；

所述介质层为包括SiO₂、MgF、ZnO、TiO₂中的一种或多种组合的厚度范围为50nm～500nm的层状结构；

介质层具有周期性的微孔，所述微孔直径为0.5um～5um，间距5um～20um，所述微孔在介质层上周期性分布；

所述高反射率金属层为包括Au、Ag、Al中的一种的厚度范围为100nm～2000nm；

所述金属薄膜衬底为包括Cu、Ti、Al、Zn中的一种生物厚度范围为10um～50um的层状结构。