[发明专利]LED芯片结构及其形成方法和LED芯片在审
| 申请号： | 201811629278.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728148A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 阮义康 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 接触电极 折射率 电极 电阻 | ||
1.一种LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构包括：
mesa结构，所述mesa结构包括N电极和P电极；
第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层位于所述N电极上，所述第二电流阻挡层位于所述P电极上；
第一接触电极，所述第一接触电极位于所述N电极上，所述第一接触电极围绕所述第一电流阻挡层或所述第一电流阻挡层围绕所述第一接触电极；
第二接触电极，所述第二接触电极位于所述P电极上。
2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第一电流阻挡层以及所述第二电流阻挡层的材料包括二氧化硅。
3.根据权利要求1或2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构还包括导电层，所述导电层位于所述P电极上，所述导电层连接所述第二接触电极，所述导电层的材料包括氧化铟锡。
4.根据权利要求1或2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述mesa结构的表面并暴露出所述第一接触电极以及所述第二接触电极。
5.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括如权利要求1～4中任意一项所述的LED芯片结构。
6.一种LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述LED芯片结构的形成方法包括：
提供一衬底，所述衬底上具有mesa结构，所述mesa结构包括N电极和P电极；
在所述N电极上形成第一电流阻挡层，在所述P电极上形成第二电流阻挡层；
在所述N电极上形成第一接触电极，所述第一接触电极围绕所述第一电流阻挡层或所述第一电流阻挡层围绕所述第一接触电极，在所述P电极上形成第二接触电极。
7.根据权利要求6所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述第一电流阻挡层以及所述第二电流阻挡层的材料包括二氧化硅。
8.根据权利要求6或7所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述LED芯片结构的形成方法还包括：形成导电层，所述导电层位于所述P电极上，所述导电层连接所述第二接触电极，所述导电层的材料包括氧化铟锡。
9.根据权利要求6或7所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，所述LED芯片结构的形成方法还包括：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述mesa结构的表面并暴露出所述第一接触电极以及所述第二接触电极。
10.根据权利要求6或7所述的LED芯片结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一电流阻挡层以及所述第二电流阻挡层的工艺条件包括：9.5％～10.5％的硅烷与氮气在流量为40sccm～90sccm；一氧化二氮在流量为700sccm～1400sccm；气压为400mToor～800mToor；射频功率为60W～100W；温度为240℃～280℃。
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