[发明专利]一种化学机械抛光液有效
申请号: | 201811629420.0 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111378375B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 何华锋;王晨;李星;孙金涛;史经深 | 申请(专利权)人: | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人: | 李佳铭;王芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 | ||
1.一种化学机械抛光液在提高钨/氮化硅抛光速率选择比的用途,其特征在于,所述化学机械抛光液包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸、氧化剂、氮化硅抛光速率抑制剂,其中,所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电;所述二氧化硅研磨颗粒为硅烷偶联剂表面改性处理的二氧化硅;所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为1%-10%;所述硝酸铁的质量百分比含量为0.02%-0.2%;所述有机酸包括丙二酸、丁二酸、酒石酸、草酸和柠檬酸中的一种或多种;所述有机酸的质量百分比含量为0.04%-0.4%;所述氮化硅抛光速率抑制剂包括聚丙烯酸、聚乙烯苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸)、聚丙烯酰胺、聚天冬氨酸、甜菜碱、十二烷基苯磺酸、十二烷基硫酸铵、烷基萘磺酸、烷基二苯醚二磺酸中的一种或多种;所述氮化硅抛光速率抑制剂的质量百分比含量为0.001%-0.2%;所述化学机械抛光液的pH值为2.0-2.5。
2.根据权利要求1所述的用途,其特征在于,
所述硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的用途,其特征在于,所述氧化剂为双氧水。
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