[发明专利]监控光刻机的涂布平台平整度的方法

说明书

本申请公开了一种监控光刻机的涂布平台平整度的方法，包括以下步骤：步骤一，在硅片表面涂布光阻；步骤二，在光阻表面涂布顶部抗反射涂层；步骤三，用暗场缺陷检测机台进行缺陷检测，记录缺陷值，通过判断缺陷值颗粒是否超过预设范围内来确定硅片表面涂层的平整度是否有异常。本发明建立监控的机制对硅片表面涂层平整度进行实时监控，防止因为硅片表面涂层异常而造成光阻涂布不均匀，从而减小对产品的影响。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种监控光刻机的涂布平台平整度的方法。

背景技术

随着半导体技术的进一步发展，晶圆制造过程中对光刻机的要求也越来越高。激光优异的特性,如极好的单色性、准直性和相干性以及能量分布集中并可调等，使其恰好能够满足半导体技术快速发展的需要。准分子激光是激光家族中较为特殊的一员，其远紫外波段的波长保证了较高的光刻分辨率。作为光学光刻工艺，准分子激光光刻是当前半导体制造中主流的光刻技术，该技术虽已产业化，但尚有诸多问题需要进一步探讨和研究。用于光刻的激光源主要有波长为248nm的KrF准分子激光。248nm的KrF光源是利用F₂和Kr气体电离后产生的激光。

顶部抗反射涂层(Top Anti-Reflection Coating,TARC)是涂覆在光刻胶顶部的，完全依赖光学相消干涉(Destructive Interference)来控制光刻胶表面的反射。TARC属于静态涂布，使用喷嘴喷涂TARC在晶圆表面，在晶圆中心形成水膜。如果光刻机光刻机在涂布TARC时晶圆载物台的平整度存在偏差，水膜甩开的时候就会出现偏心旋转现象，影响TARC涂布的均匀性，从而也会影响后续的曝光步骤造成图形尺寸无法控制在相应的标准内。

目前检查顶部抗反射涂层(Top Anti-Reflection Coating：TARC)涂布平台平整度(Coating stage leveling)的方法是需要将机台停下来利用专门的仪器对光刻机晶圆载物台(stage)进行测量，这样既浪费机台时间影响产能，也不能实时的对光刻机晶圆载物台(stage)进行监控。

发明内容

本申请所要解决的技术问题是，提供一种便捷的方法，来确定光刻机的涂布平台的平整度是否有异常。

为了解决上述技术问题，本发明公开了一种监控光刻机的涂布平台平整度的方法，包括以下步骤：步骤一，在硅片表面涂布光阻；步骤二，在光阻表面涂布顶部抗反射涂层；步骤三，用暗场缺陷检测机台进行缺陷检测，记录缺陷值，通过判断缺陷值颗粒是否超过预设范围内来确定硅片表面涂层的平整度是否有异常。

优选地，还包括步骤四，去除硅片表面的光阻和顶部抗反射涂层。

优选地，所述步骤一中在硅片表面涂布光阻的厚度为2800nm-30000nm。

优选地，所述步骤二中涂布顶部抗反射涂层的厚度为8nm-10nm。

优选地，所述步骤三中缺陷检测机台为KLA Tencer的SP2或SP3型检测机。

优选地，所述缺陷值颗粒范围为10颗以内。

优选地，所述步骤三之前还包括利用特殊图形的光罩曝光显影形成图形的步骤。

优选地，所述特殊图形包括多个图形单元，每个图形单元之间间隔距离相等。

优选地，所述图形单元为正方形。

附图说明

图1为本发明的监控光刻机的涂布平台平整度的方法光阻和TARC涂布后示意图；

图2为本发明的监控光刻机的涂布平台平整度的方法特殊图形电子扫描显微镜照片；

图3为本发明的监控光刻机的涂布平台平整度的方法特殊图形曝光显影之后示意图；