[发明专利]一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法有效
| 申请号： | 201811630551.0 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109755334B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥;张国祯 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algaassb 组分 材料 生长 方法 | ||
1.一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于步骤包括：
①将InP衬底装入MBE系统的生长室；
②加热衬底至500～700℃，以去除衬底表面残余的氧化层；
③在脱氧温度的基础上降低10～200℃，生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层，厚度100～1000nm；
④在缓冲层的基础上生长一层厚度为d1的AlAsySb1-y材料，再生长一层厚度为d2的GaAsySb1-y材料，形成AlxGa1-xAsySb1-y厚度为d1+d2的顶层节单元，其中：
GR为对应材料的生长速率；
⑤将d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，即可得到组分精确控制的AlGaAsSb四组分顶层节材料。
2.根据权利要求1所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：缓冲层为In0.52Ga0.48As或In0.53Al0.47As。
3.根据权利要求1或2所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：d1＜3nm，d2＜3nm。
4.根据权利要求1所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：y取值范围为0.4y0.6，并且为了四组分材料整体与InP晶格匹配，x和y需满足以下关系：
5.根据权利要求4所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：x＞0.6。
6.一种AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于步骤包括：
①将InP衬底装入MBE系统的生长室；
②加热衬底至500～700℃，以去除衬底表面残余的氧化层；
③在脱氧温度的基础上降低10～200℃，生长一层与InP衬底晶格匹配的缓冲层，厚度100～1000nm；
④在缓冲层的基础上生长一层厚度为d1的AlxGa1-xAs材料，再生长一层厚度为d2的AlxGa1-xSb材料，形成AlxGa1-xAsySb1-y厚度为d1+d2的顶层节单元，其中：
GR为对应材料的生长速率；
⑤将d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，即可得到组分精确控制的AlGaAsSb四组分顶层节材料。
7.根据权利要求6所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：缓冲层为In0.53Ga0.47As或In0.52Al0.48As。
8.根据权利要求6所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：d1＜3nm，d2＜3nm。
9.根据权利要求6所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：y取值范围为0.4y0.6，并且为了四组分材料整体与InP晶格匹配，x和y需满足以下关系：
10.根据权利要求9所述的AlGaAsSb四组分材料的生长方法，其特征在于：x＞0.6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
