[发明专利]基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路在审

专利信息
申请号: 201811630749.9 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109546845A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 钟任生 申请(专利权)人: 华羿微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭永丽;侯芳
地址: 710018 陕西省西安市未央区*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子负载电路 固定电阻 串并联 多个负载 串联 并联组成 负载单元 直流电路 并联 电阻
【权利要求书】:

1.一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,包括多个负载单元,所述负载单元包括:

MOSFET,其为两个MOSFET,所述两个MOSFET串联;

电阻,其与串联的两个MOSFET再并联;

其中,多个负载单元并联组成电子负载电路。

2.如权利要求1所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,多个负载单元为一个负载单元时,其包括第一MOSFET、第二MOSFET及第一电阻,所述第一MOSFET的源极连接至所述第二MOSFET的漏极与所述第一电阻的接点,所述第一MOSFET的漏极连接至所述第一电阻。

3.如权利要求2所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,所述多个负载单元为两个负载单元时,其中的第二个负载单元包括第三MOSFET、第四MOSFET及第二电阻,所述第三MOSFET与所述第四MOSFET串联,所述第二电阻与所述第三MOSFET串联;

其中,所述第三MOSFET的源极连接至所述第四MOSFET的漏极与所述第二电阻的接点,所述第三MOSFET的漏极连接至所述第二电阻;

其中,所述第三MOSFET和所述第四MOSFET与所述第一MOSFET和所述第二MOSFET并联,所述第一电阻和所述第二电阻并联。

4.如权利要求1所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,多个负载单元中的各个MOSFET的型号相同,多个负载单元中的各个电阻的阻值不同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华羿微电子股份有限公司,未经华羿微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811630749.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top