[发明专利]一种快速制备CuFeSe2 有效
| 申请号： | 201811630771.3 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109399580B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 秦丙克;籍永华;白志玲;宿太超;朱红玉;张金柱 | 申请（专利权）人： | 六盘水师范学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 段俊涛 |
| 地址： | 553004 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 cufese base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种快速制备CuFeSe2的方法，其特征在于，按化学式CuFeSe2的化学计量比，取Cu粉、Fe粉和Se粉在氩气保护下均匀混合，然后粉压成型，采用烧结模具组装后，在真空炉内烧结保温，随炉冷却至室温后取出，所述烧结模具由堵头、隔离材料和缸体组成，粉压成型的CuFeSe2样品设于其中，所述粉压成型得到直径10mm，高4mm柱体样品，堵头直径和缸体样品内孔直径均为15mm，缸体样品内孔为标准螺纹孔，缸体的外径为样品直径的1～6倍；所述堵头采用纯铜或高锰钢材质；隔离材料采用氮化硼或氧化锆材质；缸体采用耐热钢或不锈钢材质，所述烧结采用真空气氛炉，在真空或惰性气氛中固相反应烧结，烧结温度为550℃，保温时间为30～180min，制备出单相的CuFeSe2，样品均匀分布微孔，样品内部晶体结构成空间立体网状，保温时间为30min样品获得Seebeck系数最大值，为106.57μV/k；保温时间180min时获得样品的室温电阻率最小，最小值为0.95mΩ·cm，并在此条件下获得最大功率因子97.18μW/(m·k2)。
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