[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811631049.1 | 申请日： | 2018-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109727862B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆包括N+1个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极；
在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极；
在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极之间的第一介质层上形成第二栅极；
在晶圆上形成第二介质层，并在第三半导体结构的源极和漏极之间的第二介质层上形成第三栅极；
依此类推，在所述晶圆上形成第N介质层，并在第N+1半导体结构的源极和漏极之间的第N介质层上形成第N+1栅极，其中，所述N为大于1的正整数。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第N介质层的厚度为1nm-10nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述每个介质层的厚度可以相等或者不同。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述半导体层包括衬底、位于所示衬底上的缓冲层以及位于所述缓冲层上的势垒层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述缓冲层材料为GaN、InN、AlN、AlGaN或InGaN。
6.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述势垒层材料为三元或者四元氮化物化合物半导体合金。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述的N+1个半导体结构的源极，栅极和漏极分别连接在一起，构成复合场效应管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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