[发明专利]具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法

权利要求书

1.一种具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

紫外压印：在基底表面依次旋涂高分子层和紫外固化胶层，通过紫外压印技术制备得到纳米柱阵列结构；

高分子刻蚀：对紫外固化胶层的残余层进行刻蚀，以紫外胶柱阵结构作为掩模，通过刻蚀技术刻蚀高分子层；

举离：通过电子束蒸镀技术蒸镀金属层，将蒸镀金属层后的基底置于溶剂中进行超声处理，得到具有纳米孔阵列结构金属层的基底；

基底刻蚀：以具有纳米孔阵列结构金属层作为掩模，采用刻蚀技术刻蚀基底，刻蚀结束后洗去金属层，得到具有纳米孔阵列结构的基底；

镀膜：在具有纳米孔阵列结构的基底表面、孔底和孔侧壁上镀金属层，通过垂直方向的离子束刻蚀技术刻蚀基底表面及孔底平面上的金属层，得到内嵌金属环的纳米孔阵列结构；

所述紫外压印步骤中制备得到的纳米柱阵列结构的周期100nm-1μm，纳米柱直径为50-500nm；

所述基底刻蚀步骤中，所述纳米孔的深度为100-500nm；

所述镀膜步骤中，镀膜的厚度为10-100nm；所述金属环的环壁厚度为5-50nm；

其中，具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构具有等离激元效应和陷光效应。

2.根据权利要求1所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述基底为硅片，ITO玻璃，FTO玻璃或石英片。

3.根据权利要求1所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述举离步骤中，金属层厚度为20-40nm；所述金属为镍，铬，金或钛。

4.根据权利要求1所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述举离步骤中，所述溶剂为丙酮或水。

5.根据权利要求1所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述镀膜步骤中，在所述具有纳米孔阵列结构的基底表面、孔底和孔侧壁上镀金属层采用蒸发镀膜，磁控溅射镀膜或离子镀膜技术。

6.根据权利要求5所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述镀膜步骤中，所述金属为金，银，镍或铝。

7.根据权利要求1所述的具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法，其特征在于，所述高分子层为聚甲基丙烯酸甲酯，聚乙烯醇或聚乙烯基吡咯烷酮。