[发明专利]一种功率放大电路

说明书

本发明实施例公开了一种功率放大电路，所述电路包括：基础放大单元和增强放大单元，其中：所述基础放大单元的第一端与电源连接，所述基础放大单元的第二端与所述增强放大单元的第二端连接，所述基础放大单元的第三端与所述增强放大单元的第三端连接，所述基础放大单元的第四端与所述增强放大单元的第四端连接，所述基础放大单元的第五端接地；所述增强放大单元的第一端与电源连接，所述增强放大单元的第五端接地；所述增强放大单元，用于增强所述功率放大电路的电源电压抑制比。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种功率放大电路。

背景技术

功率放大电路随着其功能应用的广泛性，功率放大电路已普遍应用在各种电路结构中；但是，随着用户对功率放大电路的功率放大性能的需求，对于功率放大电路的电源电压的抑制比(Power Supply Rejection Ratio，PSRR)的要求越来越高。为了解决上述问题，目前相关技术中一般是采用在功率放大电路中增加电容或者运算放大器等器件。

但是，相关技术中的这种用于增强功率放大电路的电源电压抑制比的方案需要占用的空间较大或者电路结构比较复杂，进而导致实现难度较大。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种功率放大电路，解决了相对技术中的功率放大电路的实现难度较大的问题，降低了功率放大电路所需占用的体积，并且降低了电路的复杂度。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种功率放大电路，所述电路包括：基础放大单元和增强放大单元，其中：

所述基础放大单元的第一端与电源连接，所述基础放大单元的第二端与所述增强放大单元的第二端连接，所述基础放大单元的第三端与所述增强放大单元的第三端连接，所述基础放大单元的第四端与所述增强放大单元的第四端连接，所述基础放大单元的第五端接地；

所述增强放大单元的第一端与电源连接，所述增强放大单元的第五端接地；

所述增强放大单元，用于增强所述功率放大电路的电源电压抑制比。

上述方案中，所述增强放大单元包括：第一电流抵消子单元、第二电流抵消子单元和输出单元，其中：

所述第一电流抵消子单元的第一端与电源连接，所述第一电流抵消子单元的第二端与所述基础放大单元的第二端连接，所述第一电流抵消子单元的第三端与所述基础放大单元的第三端连接，所述第一电流抵消子单元的第四端接地；

所述第二电流抵消子单元的第一端与电源连接，所述第二电流抵消子单元的第二端与所述基础放大单元的第二端连接，所述第二电流抵消子单元的第三端与所述输出单元的第二端连接，所述第二电流抵消子单元的第五端接地；

所述输出单元的第一端与所述基础放大单元的第四端连接，所述输出单元的第三端接地。

上述方案中，所述第一电流抵消子单元包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：

所述第一MOS管的第一极与电源连接，所述第一MOS管的第二极与第二MOS管的第二极连接，所述第一MOS管的第三极与所述第二电流抵消子单元的第二端连接；其中，所述第一MOS管的第二极与所述第一MOS管的第三极连接在一起；

所述第二MOS管的第一极接地，所述第二MOS管的第三极与所述基础放大单元的第三端连接。

上述方案中，所述第二电流抵消子单元包括：第三MOS管和第四MOS管，其中：

所述第三MOS管的第一极与电源连接，所述第三MOS管的第二极与第四MOS管的第二极连接，所述第三MOS管的第三极与所述第一MOS管的第三极连接；