[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，其包括形成在硅衬底(100)上的第一类型阱(206)；

所述第一类型阱(206)的横向上形成有第二类型的表面漂移区(301)、漏端及源端(300)；

表面漂移区(301)在漏端同源端(300)之间，表面漂移区(301)同漏端邻接，同源端(300)间隔；

表面漂移区(301)上方形成有二氧化硅层，表面漂移区(301)同源端之间的间隔上方形成有二氧化硅层；

表面漂移区(301)的正上方的二氧化硅层覆盖有ONO膜层(402)；

所述ONO膜层(402)及N型表面漂移区(301)同源端之间的间隔上方的二氧化硅层上形成有多晶硅栅。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，

表面漂移区(301)的深度小于漏端及源端(300)的深度。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，

漏端及源端(300)外侧形成有浅沟槽隔离区(101)。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，

第一类型为P型，第二类型为N型。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，

第一类型为N型，第二类型为P型。

6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，

所述硅衬底(100)为P型衬底。

7.根据权利要求3所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在硅衬底(100)上形成垫层二氧化硅层(403)；

二.所述硅衬底(100)上，形成浅沟槽隔离区(101)；

三.在相邻两个浅沟槽隔离区(101)的所述硅衬底(100)的右部，透过垫层二氧化硅层(403),通过光刻和离子注入形成表面漂移区(301)，表面漂移区(301)较所述浅沟槽隔离区(101)浅；

四.在相邻两个浅沟槽隔离区(101)间的整个硅衬底上部形成第一类型阱(206)，第一类型阱(206)的深度不小于浅沟槽隔离区(101)的深度；

五.在垫层二氧化硅层(403)上形成ONO膜层(402)；

六.在所述硅衬底(100)上，去除表面漂移区(301)正上方之外的ONO膜层(402)及垫层二氧化硅层(403)，仅保留表面漂移区(301)正上方的ONO膜层(402)及垫层二氧化硅层(403)；

七.在硅衬底(100)上形成栅氧二氧化硅层(401)；

八.在栅氧二氧化硅层(401)及ONO膜层(402)上形成多晶硅层；

九.去除邻接左侧浅沟槽隔离区(101)的硅衬底(100)上的栅氧二氧化硅层(401)及多晶硅层，并去除邻接右侧浅沟槽隔离区(101)的硅衬底(100)上的垫层二氧化硅层(403)及多晶硅层，形成多晶硅栅极；

十.在多晶硅栅极左右两侧进行第二类型重掺杂离子注入，形成漏端及源端(300)；

十一.进行后续工艺步骤。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，

步骤二中，通过刻蚀填充工艺形成浅沟槽隔离区(101)。

9.根据权利要求7所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，

步骤四中，透过垫层二氧化硅层(403),通过离子注入形成第一类型阱(206)。

10.根据权利要求7所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，

步骤五中，采用炉管工艺形成ONO膜层(402)。

11.根据权利要求7所述的LDMOS器件制造方法，其特征在于，

步骤六中，通过光刻和刻蚀工艺去除表面漂移区(301)正上方之外的ONO膜层(402)及垫层二氧化硅层(403)。