[发明专利]改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局在审
| 申请号： | 201811632458.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384163A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;秦彦斌;姜丽娟;冯春;王权;肖红领 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 gan hemt 器件 散热 性能 结构 布局 | ||
1.一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，包括：
衬底；
外延结构，制作于该衬底之上；
源极，制作于该外延结构之上；
漏极，制作于该外延结构之上；以及
栅极，制作于该外延结构之上；
其中，所述源极的宽度大于所述漏极的宽度，所述宽度表示在栅长方向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，该结构为单胞多指栅器件，该单胞多指栅器件中源极和漏极尺寸不同，设置源极、栅极、漏极的尺寸满足：在不改变器件整体尺寸的情况下使得源极两边的栅极间距相同。
3.根据权利要求2所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，还包括：
漏极pad，该漏极pad与单胞多指栅器件中的每一个漏极均相连；
栅极pad，该栅极pad与单胞多指栅器件中的每一个栅极均相连。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，还包括：
通孔，该通孔从衬底背面打通，连接到源极背面；
桥墩，该桥墩制作在源极上；
桥面，该桥面制作在桥墩之上，将每个源极通过桥墩和桥面电学连接在一起。
5.根据权利要求4所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，所述桥墩为空气桥或者介质桥桥墩。
6.根据权利要求1所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，所述外延结构包括：
依次层叠的成核层、缓冲层、高迁层、插入层、势垒层、以及盖帽层。
7.根据权利要求6所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，所述势垒层的材料为InxAlyGa1-x-yN，铟组分为0≤x≤1，铝组分为0≤y≤1，厚度为10-30nm；所述盖帽层的材料为InxGa1-xN，铟组分为0≤x≤1，厚度为0-5nm。
8.根据权利要求1所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构，其特征在于，所述源极和漏极的位置并不固定，漏极也可位于器件的左右两端。
9.一种布局，其特征在于，包含权利要求1至8中任一项所述的改善GaN HEMT器件散热性能的结构。
10.根据权利要求9所述的布局，其特征在于，通过设计版图使得多个单胞进行组合，将单胞之间用金属pad连接。
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