[发明专利]晶圆的晶边缺陷的监控方法

说明书

本发明公开了一种晶圆的晶边缺陷的监控方法，包括步骤：步骤一、收集已知种类的晶圆的晶边缺陷的扫描照片数字化形成的特征参数并将各种晶边缺陷的特征参数添加到缺陷数据库中；步骤二、对被监控晶圆进行边缘的扫描并拍照并形成扫描照片；步骤三、从被监控晶圆的扫描照片挑出出现的各种晶边缺陷并进行数字化并得到对应的特征参数；步骤四、将被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的特征参数和缺陷数据库中的特征参数进行差减，根据差减值来确定被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的种类。本发明能对各种已知和新出现的未知缺陷实现全面实时监控，消除对未知缺陷的监控盲点以及消除由监控盲点带来的对产品的影响，提升产品的质量。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种晶圆的晶边缺陷的监控方法。

背景技术

半导体集成电路通常都形成于晶圆上，晶圆一般为硅衬底的晶圆，随着技术发展，晶圆的尺寸即直径从4英寸、6英寸、8英寸一直发展到12英寸，在晶圆如12英寸晶圆的生产过程中，随着制程的不断减小和工艺的不断优化，在这各步工艺过程中更多新种类的晶边缺陷将随之产生，晶边缺陷也即晶圆的边缘处的缺陷，晶边缺陷如薄膜剥落等一旦在工艺过程中掉落至有效器件中将造成良率的损失，有效器件即所述晶圆的边缘内部的芯片形成区域的器件，晶圆边缘处的器件最后会被去除。因此必须建立一种在线有效的晶边缺陷监控方法。然而，由于不同工艺光刻洗边距离的不同及薄膜生长层次的增多，加上不同工艺过程中晶边与机台部件间不同程度的触碰，会导致晶圆晶边在缺陷量测过程中存在很大的噪声。

现有技术中，对晶圆晶边缺陷的监控方式为：对晶圆边缘进行扫描即进行晶边扫描得到晶边照片，通常是通过缺陷检测机台对晶圆边缘进行扫描，在所得照片中选出所需的特殊种类缺陷，通过参数选择及不断调整，建立针对这种特征种类缺陷的晶边扫描程式，晶边扫描程式建立后，就能实现对这种特殊种类缺陷也即已知缺陷进行持续地在线监控。

现有方法中，每一种类型的缺陷都要建立相应的晶边扫描程式，没有对应的晶边扫描程式的缺陷都不能进行在线监控，目前的晶边监控方法存在定向性，即仅能针对已知缺陷进行监控，然而对于未知的新种类的晶边缺陷，现行的监控方式无法在第一时间发现，在时效性方面存在一定的延迟。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆的晶边缺陷的监控方法，能对各种已知和新出现的未知缺陷实现全面实时监控，消除对未知缺陷的监控盲点以及消除由监控盲点带来的对产品的影响，提升产品的质量。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆的晶边缺陷的监控方法包括如下步骤：

步骤一、收集已知种类的晶圆的晶边缺陷的特征参数，所述特征参数通过对相应的所述晶圆的边缘的晶边缺陷进行扫描拍照并对扫描照片中的所述晶边缺陷的照片进行数字化形成，将已知的所有种类的所述晶边缺陷的特征参数添加到缺陷数据库中。

步骤二、对被监控晶圆进行边缘的扫描并拍照并形成扫描照片。

步骤三、从所述被监控晶圆的扫描照片挑出出现的各种晶边缺陷，对各种晶边缺陷的照片进行数字化并得到对应的特征参数。

步骤四、所述被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的各种晶边缺陷的特征参数进行差减，根据差减值来确定所述被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的种类。

进一步的改进是，步骤四中，如果所述被监控晶圆对应的各晶边缺陷中的一种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的一种晶边缺陷的特征参数的差减值小于等于比较阈值，则判定所述被监控晶圆对应的晶边缺陷的种类为已知种类。

进一步的改进是，步骤四中，如果所述被监控晶圆对应的各晶边缺陷中的一种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的所有种类的晶边缺陷的特征参数的差减值都大于比较阈值，则判定所述被监控晶圆对应的晶边缺陷的种类为新种类。

进一步的改进是，将所述被监控晶圆对应的新种类的晶边缺陷的特征参数添加到所述缺陷数据库中。