[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括：

基底，其中在所述基底中具有沿着第一方向延伸的沟槽；

选择栅极，设置在所述沟槽中；

第一电荷存储层，设置在所述沟槽的侧壁上，且具有彼此相对的第一侧面与第二侧面，其中所述第一侧面与所述第二侧面在所述第一方向上排列；

控制栅极，设置在所述沟槽中的所述选择栅极与所述第一电荷存储层上，且覆盖所述第一侧面与所述第二侧面；以及

第一介电层，设置在所述控制栅极与所述第一电荷存储层之间，

其中该第一电荷存储层具有靠近该选择栅极的端面，该第一介电层具有靠近该选择栅极的下表面，该端面与该下表面彼此齐平。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述选择栅极、所述第一电荷存储层、所述控制栅极与所述基底彼此电性绝缘。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述第一电荷存储层包括浮置栅极。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述第一电荷存储层还具有连接在所述第一侧面与所述第二侧面之间的第三侧面，且所述控制栅极覆盖所述第三侧面。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第二电荷存储层，设置在所述沟槽的另一侧壁上，且具有彼此相对的第四侧面与第五侧面，其中所述第四侧面与所述第五侧面在所述第一方向上排列，所述控制栅极覆盖所述第四侧面与所述第五侧面，且所述第一介电层设置在所述控制栅极与所述第二电荷存储层之间。

6.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构，其中所述第一电荷存储层与所述第二电荷存储层在第二方向上排列，且所述第二方向相交于所述第一方向。

7.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构，其中所述第二电荷存储层还具有连接在所述第四侧面与所述第五侧面之间的第六侧面，且所述控制栅极覆盖所述第六侧面。

8.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第一掺杂区，位于所述沟槽下方的所述基底中；以及

第二掺杂区，位于所述沟槽的一侧的所述基底中。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第三掺杂区，位于所述沟槽的另一侧的所述基底中。

10.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第二介电层，设置在所述选择栅极与所述基底之间；以及

第三介电层，设置在所述第一电荷存储层与所述基底之间。

11.一种非挥发性存储器结构的制造方法，包括：

在基底中形成沿着第一方向延伸的沟槽；

在所述沟槽中形成选择栅极；

在所述沟槽的侧壁上形成第一电荷存储层，其中所述第一电荷存储层具有彼此相对的第一侧面与第二侧面，且所述第一侧面与所述第二侧面在所述第一方向上排列；

在所述沟槽中的所述选择栅极与所述第一电荷存储层上形成控制栅极，其中所述控制栅极覆盖所述第一侧面与所述第二侧面；以及

在所述控制栅极与所述第一电荷存储层之间形成第一介电层，

其中该第一电荷存储层具有靠近该选择栅极的端面，该第一介电层具有靠近该选择栅极的下表面，该端面与该下表面彼此齐平。

12.如权利要求11所述的非挥发性存储器结构的制造方法，其中所述选择栅极、所述第一电荷存储层、所述控制栅极与所述基底彼此电性绝缘。

13.如权利要求11所述的非挥发性存储器结构的制造方法，其中所述第一电荷存储层还具有连接在所述第一侧面与所述第二侧面之间的第三侧面，且所述控制栅极覆盖所述第三侧面。