[发明专利]叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201811633012.2 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384283B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 张滔;向超宇;朱佩;罗植天 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
本发明提供了一种叠层结构,至少包括一个叠层单元,所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层,以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层,且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成第三金属氧化物薄膜。
技术领域
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种叠层结构及其制备方法、发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点,是下一代显示技术的有力竞争者。将量子点发光二极管(QLED)制备在柔性基底上,实现柔性显示是目前显示发展的一个重要方向。目前,实现柔性QLED仍面临着诸多挑战,特别是在薄膜封装技术(TFE)上,由于QLED对于空气中的水汽较敏感,渗透进来的水汽非常容易与活泼的金属阴极或是部分传输材料发生反应,引起器件性能的下降。而且,为了保证柔性QLED器件的柔韧性,通常会选用高分子聚合物作为基底,这类基底本身对外界的水汽阻挡能力较差,容易导致水汽的渗透。因此,寻找好的TFE技术,对提升器件稳定性,拓展柔性QLED的应用前景都具有重大意义。
目前,最常用的TFE方法是通过有机-无机薄膜的组合来形成封装的阻挡层,也叫Barix封装技术,其中,无机薄膜是作为真正的阻挡层,有机薄膜主要用于提高平整度,减少机械损伤。这种技术虽然能确保较低的水汽渗透率,但是需要保证有较大的有机薄膜厚度来填补无机薄膜的针孔缺陷,因此成本很高。而近些年来开发的通过原子层沉积(ALD)方法形成薄膜封装,虽然可以在较薄的厚度上实现较低水汽透过率,但是由于生长周期慢,难以应用于大面积生产。
发明内容
本发明的目的在于提供一种叠层结构及其制备方法,旨在解决现有有机-无机薄膜的组合来形成封装的阻挡层的技术中,为了保证水汽隔绝效果,要么有机薄膜厚度,导致成本高的问题,要么采用原子层沉积的方法制备薄膜,存在生长周期慢,难以应用于大面积生产的问题。
本发明的另一目的在于提供含有上述叠层结构的发光二极管及其制备方法。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种叠层结构,至少包括一个叠层单元,所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层,以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层,且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜。一种叠层结构的制备方法,所述叠层结构至少包括一个叠层单元,所述叠层单元包括相对设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层,以及设置在所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的第三金属层,且所述第一金属氧化物层和所述第三金属层之间、以及所述第二金属氧化物层和所述第三金属层之间形成有第三金属氧化物薄膜,所述叠层结构的制备包括以下步骤:
提供基底,在所述基底上制备第一金属氧化物层,在所述第一金属氧化物层上制备第三金属层,在所述第三金属层上制备第二金属氧化物层,得到预制叠层单元;
将所述预制叠层单元进行加热处理,制备得到叠层单元。
一种发光二极管,包括相对设置的阳极和阴极,设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层,以及设置在所述阳极和/或所述阴极的表面的封装结构,所述封装结构为本发明所述的叠层结构。
一种发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
制备相对设置的阳极和阴极,设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层;
按照本发明所述方法在所述阳极或所述阴极表面制备封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择