[发明专利]帽结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

由导电栅极材料构成的栅极结构；

位于所述栅极结构上的、在所述导电栅极材料上方延伸的侧壁隔离物，

第一帽盖材料，其直接位于所述导电栅极材料上并且包括位于所述栅极结构上的所述侧壁隔离物之间的凹陷部分；以及

第二帽盖材料，其位于所述第一帽盖材料的所述凹陷部分内并且在所述栅极结构上的所述侧壁隔离物的顶表面之上延伸且与所述顶表面直接接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二帽盖材料是T形的。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二帽盖材料是顶部材料，所述顶部材料抵抗蚀刻化学并且悬在所述侧壁隔离物之上。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述顶部材料是SiOC。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述顶部材料悬在所述侧壁隔离物和位于所述侧壁隔离物上的蚀刻停止材料之上。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述顶部材料是SiOC，以及所述第一帽盖材料是直接接触所述导电栅极材料且位于所述侧壁隔离物之间的底部材料并且是氮化物材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括与所述栅极结构邻近的接触，所述接触至少通过所述侧壁隔离物和悬在所述侧壁隔离物之上的所述第二帽盖材料而与所述栅极结构的所述导电栅极材料分离。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二帽盖材料与层间电介质材料是共平面的。

9.一种半导体结构，包括：

由导电栅极材料构成的栅极结构；

位于所述栅极结构上并且具有在所述导电栅极材料的顶表面上方延伸的顶表面的侧壁隔离物；

位于所述侧壁隔离物上在与所述导电栅极材料相反的一侧的蚀刻停止层；以及

位于所述导电栅极材料上的T形双层帽，所述T形双层帽包括被定位在所述侧壁隔离物内并具有比所述侧壁隔离物的顶表面低的凹陷部分的第一帽盖材料和位于所述凹陷部分内并直接接触所述侧壁隔离物且悬在所述侧壁隔离物之上的第二帽盖材料。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第二帽盖材料是抵抗蚀刻化学的顶部材料。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述顶部材料悬在所述侧壁隔离物和所述蚀刻停止层两者之上。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述顶部材料由SiOC构成。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述第一帽盖材料是所述T形双层帽中的底部材料并且位于所述侧壁隔离物之间且与所述导电栅极材料直接接触。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中所述底部材料是氮化物。

15.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括被形成为与所述栅极结构邻近的源极和漏极接触，所述源极和漏极接触至少通过所述侧壁隔离物和所述T形双层盖的顶部部分与所述导电栅极材料分离。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其中将所述导电栅极材料与所述源极和漏极接触分离的所述T形双层帽的所述顶部部分悬在所述侧壁隔离物之上。

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其中所述源极和漏极接触通过所述侧壁隔离物的侧面上的所述蚀刻停止层与所述导电栅极材料分离。