[发明专利]一种可挠性基板加工处理方法在审
申请号: | 201811633908.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109786309A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 王士敏;周威云;邓移好;何春荣;古海裕;朱泽力;李文祥 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;G06F3/041;G09F9/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性基板 衬底 形变 影响电子元件 夹具 四周边缘 位置偏移 偏移 层间 翘曲 制造 保证 | ||
1.一种可挠性基板加工处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一衬底(1)、一可挠性基板(2),所述衬底(1)具有相对设置的的第一表面(11)与第二表面(12),所述可挠性基板(2)具有相对设置的第三表面(21)与第四表面(22);
S2:将所述可挠性基板(2)通过所述第一表面(11)、第三表面(21)与衬底(1)贴合,所述可挠性基板(2)的第三表面(21)结合于所述衬底(1)的第一表面(11)上;
S3:提供一夹具;
S4:使用所述夹具3对结合好的可挠性基板(2)与所述衬底(1)的四周边缘进行夹固处理,通过夹固所述衬1的第二表面(12)与所述可挠性基板(2)的第四表面(22)的边缘。
2.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述、第三表面(21)与第四表面(22)的平坦度Ra为0.006-0.1um,粗糙度Rz为0.05-0.1um。
3.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述可挠性基板(2)可为PET膜或PI膜或COP膜或ETFE膜,所述可挠性基板(2)的厚度为50-125um。
4.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述衬底(1)采用三层结构材料,由上自下分别为第一衬底层、第二衬底层与第三衬底层,所述第一衬底层与所述可挠性基板(2)采用同一种材料,所述第二衬底层为粘结层,所述第三衬底层为玻璃或者亚克力。
5.如权利要求4所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述衬底(1)的第三衬底层厚度为0.8-1.5mm。
6.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述可挠性基板(2)的外边缘较所述衬底(1)的外边缘內缩2-5mm。
7.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述夹具3为框型或者环型,所述夹具3的外边缘较所述可挠性基板(2)的外边缘的距离为3-10mm。
8.如权利要求7所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,所述夹具3内部设置一气压调节机构,所述气压调节机构可以调节所述夹具3与所述衬底(1)的第二表面(12)的接触面的表面气压。
9.如权利要求1所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,还包括步骤S5:在所述可挠性基板(2)上设置电子元件。
10.如权利要求9所述的可挠性基板加工处理方法,其特征在于,还包括步骤S6:取下夹具3,将设置有电子元件的所述可挠性基板(2)与衬底(1)相剥离,裁切掉所述可挠性基板(2)上未设置有电子元件的边缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造