[发明专利]基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置及方法在审
| 申请号： | 201811634295.2 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109490731A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 钱国超;彭庆军;张知先;陈伟根;万福;马仪;程志万;周仿荣;邹德旭;黄星;洪志湖;刘光祺;颜冰 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜片 波分复用器 法珀干涉腔 激光器 光纤 局部放电检测装置 数据采集卡 光纤法珀 输出端 金膜 检测灵敏度 输入端连接 检测装置 膜片表面 反射率 干涉腔 光纤端 输入端 镀覆 申请 | ||
1.一种基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置，其特征在于，包括第一激光器、第二激光器、第一波分复用器、法珀干涉腔、第二波分复用器及数据采集卡，其中，
所述第一激光器、所述第二激光器分别与所述第一波分复用器的输入端连接，所述第一波分复用器的输出端与所述法珀干涉腔连接；
所述法珀干涉腔包括MOS2膜片与光纤，所述第一激光器通过所述光纤与所述MOS2膜片连接；所述光纤内设有干涉腔，所述MOS2膜片与所述光纤的端面固定连接，所述MOS2膜片朝向所述光纤端面的一侧设有金膜；
所述法珀干涉腔与所述第二波分复用器的输入端连接，所述第二波分复用器的输出端与所述数据采集卡连接。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MOS2膜片的直径为30μm，所述MOS2膜片的厚度为10nm。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述金膜的厚度为5nm。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述干涉腔设置在所述光纤的端部，所述干涉腔的直径为25μm，所述干涉腔的长度为40μm。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一波分复用器与所述法珀干涉腔之间设有光纤耦合器，所述第一波分复用器、所述法珀干涉腔分别与所述光纤耦合器的两端连接；
所述第二波分复用器的输入端与所述光纤耦合器连接。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二波分复用器与所述数据采集卡之间设有第一光电探测器与第二光电探测器，所述第一光电探测器与所述第二光电探测器的输入端分别与所述第二波分复用器的输出端连接，所述第一光电探测器与所述第二光电探测器的输出端分别与所述数据采集卡连接。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一光电探测器、所述第二光电探测器与所述数据采集卡之间设有滤波器，所述第一光电探测器与所述第二光电探测器的输出端分别与所述滤波器的输入端连接，所述滤波器的输出端与所述数据采集卡连接。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一激光器与所述第二激光器均为窄线宽激光器。
9.一种基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测方法，其特征在于，所述方法包括：
第一激光器与第二激光器分别产生不同波长的激光；
两束不同波长的激光通过同一根光纤进入法珀干涉腔；
所述法珀干涉腔反射所述激光；
将反射后的激光分成两束反射光；
对所述反射光进行滤波处理后，分别对所述反射光进行检测。
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