[发明专利]一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法

权利要求书

1.一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在衬底表面生长GaN外延层；

步骤二、在GaN外延层表面制备多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括n-GaN层、MQWs层和p-GaN层，并在多量子阱结构的表层上旋涂光刻胶；

步骤三、利用光刻显影和氮化物刻蚀，将掩模板上的图形转移到衬底上，获得GaN基集成波导结构，GaN基集成波导结构由左至右依次包括结构相同的多量子阱发光二极管、多量子阱光波导和多量子阱探测器；

步骤四、在多量子阱发光二极管的侧面镀上DBR高反膜，DBR高反膜材料为多周期高折射率的Si/SiC材料，在多量子阱发光二极管和多量子阱探测器的上面分别镀上正负金属电极；

步骤五、电极套制、封装引线。

2.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤一中所采用的衬底材料为蓝宝石、硅、SiC或GaN。

3.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤一中采用金属有机化合物气相沉积法在衬底表面生长GaN基。

4.根据权利要求3所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤一采用高温金属有机化合物气相沉积法在衬底表面生长GaN基。

5.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤二采用金属有机化学气相沉积法或者分子束外延法在GaN基表面制备多量子阱结构。

6.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤三中所用的光刻胶为具有反转特性的正型光刻胶AZ5412。

7.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤三中氮化物刻蚀采用耦合等离子体刻蚀工艺。

8.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤四中制备电极的方法为电子束蒸发法或者热蒸发法。

9.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤四中GaN肖特基接触电极的种类为Ni、Au、Pt或Ni/Au，欧姆接触电极材料为Ti/Al或Ti/Al/Ti/Au。

10.根据权利要求1所述的采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，其特征在于，步骤五中对于Ni/Au复合电极，电极套制的退火条件温度为400-600度，时间为3-15分。