[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 201811634484.X | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109597256A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 江志雄;徐洪远 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垫高层 扫描线 阵列基板 制备 数据线 玻璃基板表面 电阻电容延迟 玻璃基板 第二区域 第一区域 基板表面 显示面板 显示品质 交叠处 覆盖 申请 | ||
本申请提供了一种阵列基板,包括玻璃基板、制备于所述玻璃基板表面的栅极、扫描线、以及制备于所述基板表面且覆盖所述栅极和所述扫描线的垫高层,所述垫高层包括对应于所述扫描线的第一区域,以及对应于所述栅极的第二区域;所述垫高层包括第一垫高层和第二垫高层,所述第一垫高层覆盖所述栅极和所述扫描线,所述第二垫高层位于所述第一垫高层的任意一侧;有益效果:本申请提供的阵列基板,通过在扫描线与数据线在交叠处设置垫高层,提高扫描线与数据线之间的距离,降低面板的电阻电容延迟效应,进而提升了显示面板的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
随着液晶显示器的发展,高阶显示受到越来越多的重视,液晶显示的分辨率也越来越高,从高清度(Full High Definition,FHD)到超高清(High Definition,UD),在到目前各大显示器件争先开发的8K显示技术;分辨率的提升带来最直接的负面效应,就是栅极负载越来越大,电阻电容(Resistor Capacitor,RC)延迟效应成倍增长。
现有技术的降低电阻电容延迟效应的主要方法是降低电阻,例如用金属铜线代替铝线,还有就是增加铜的厚度,以此来降低电阻,而达到降低RC延迟的目的。
铜制程相对于铝制程而言,铜的蚀刻难度较高,需要使用到危险系数较高的氢氟酸(Hydro fluoric acid,HF),成本高。
增加铜的厚度,一方面铜的沉积时间增加,蚀刻时间也相应增加,增加了物料成本及时间成本;另一方面铜膜厚度增加还会带来基板应力过高导致翘曲的问题。
综上所述,现有技术在降低RC延迟上存在着生产成本高和产品翘曲的问题。
发明内容
本申请提供的阵列基板,通过增加扫描线与数据线在交叠处的距离,降低面板的RC延迟效应。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种阵列基板,包括玻璃基板、制备于所述玻璃基板表面的栅极、扫描线、以及制备于所述基板表面且覆盖所述栅极和所述扫描线的垫高层,所述垫高层包括对应于所述扫描线的第一区域,以及对应于所述栅极的第二区域;
所述垫高层包括第一垫高层和第二垫高层,所述第一垫高层覆盖所述栅极和所述扫描线,所述第二垫高层位于第一垫高层的任意一侧。
根据本申请一优选实施例,所述垫高层的第一区域的高度,大于所述垫高层的第二区域的高度。
根据本申请一优选实施例,所述第一垫高层采用氮化硅制备,所述第二垫高层采用可溶性聚四氟乙烯层、R/G/B三基色叠加层或者黑色矩阵光阻材料制备。
根据本申请一优选实施例,所述第二垫高层覆盖所述第二区域之外的区域。
根据本申请一优选实施例,所述第二垫高层对应于所述第二区域的位置设有开口,所述栅极置于所述开口内。
根据本申请一优选实施例,所述第一垫高层采用氮化硅制备,所述第二垫高层采用可溶性聚四氟乙烯层、R/G/B三基色叠加层或者黑色矩阵光阻材料制备。
根据本申请一优选实施例,所述垫高层的厚度为
依据本申请的上述目的,提供一种阵列基板制备方法,包括在阵列基板上制作所述绝缘层的步骤,所述方法还包括以下步骤:
步骤S10,提供玻璃基板,所述玻璃基板表面制备栅极和所述扫描线;
步骤S20,玻璃基板表面制备第一垫高层,所述第一垫高层覆盖所述栅极和所述扫描线;
步骤S30,第一垫高层表面显影曝光,剥离所述栅极表面的第一垫高层;
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