[发明专利]一种液晶面板像素充电方法及终端在审
申请号: | 201811635085.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109616062A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 栅极驱动线 充电 液晶面板 驱动 矩形脉冲 重复执行 预设 矩形脉冲信号 终端 显示画面 最大电压 重载 | ||
本发明提供的种液晶面板像素充电方法及终端,其包括:S1:判断第i行栅极驱动线驱动的像素相对于第i‑1行栅极驱动线驱动的像素是否存在重载;所述i的初始值为2;S2:若是,则增大预设矩形脉冲的最大电压,并通过增大电压后的矩形脉冲对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;若否,则通过所述预设矩形脉冲信号对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;S3:判断i+1是否大于N,若是,则令i=1,i‑1=N,重复执行S1‑S2;否则,令i=i+1,重复执行S1‑S2;其中,所述N为栅极驱动线的总数量。本发明解决了像素因充电时间短,而导致液晶面板的显示画面质量欠佳的问题。
技术领域
本发明涉及液晶面板技术领域,尤其涉及一种液晶面板像素充电方法及终端。
背景技术
随着显示器技术的发展,人们对分辨率的需求不断提高,就智能手机和平板应用上来说,从HD到FHD,再到WQXGA的分辨率比比皆是,从市场定位上来说,高分辨率就意味着高端高价格。但是,由于制程工艺技术的差异,FHD及以上的分辨率对a-Si面板却是一个巨大挑战,而且随着全面屏的推广,窄边框也是一项挑战,于是Dual Gate架构面板应运而生。Dual Gate面板对比普通面板,通过Gate线翻倍,Source线减半,来实现高分辨率和下边框变窄,但其存在液晶面板显示画面质量不佳的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:本发明提供了一种液晶面板像素充电方法及终端,提高了液晶面板显示画面的质量。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种液晶面板像素充电方法,包括以下步骤:
S1:判断第i行栅极驱动线驱动的像素相对于第i-1行栅极驱动线驱动的像素是否存在重载;所述i的初始值为2;
S2:若是,则增大预设矩形脉冲的最大电压,并通过增大电压后的矩形脉冲对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;若否,则通过所述预设矩形脉冲信号对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;
S3:判断i+1是否大于N,若是,则令i=1,i-1=N,重复执行S1-S2;否则,令i=i+1,重复执行S1-S2;其中,所述N为栅极驱动线的总数量,所述i和N均为正整数。
本发明还提供了一种液晶面板像素充电终端,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤:
S1:判断第i行栅极驱动线驱动的像素相对于第i-1行栅极驱动线驱动的像素是否存在重载;所述i的初始值为2;
S2:若是,则增大预设矩形脉冲的最大电压,并通过增大电压后的矩形脉冲对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;若否,则通过所述预设矩形脉冲信号对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电;
S3:判断i+1是否大于N,若是,则令i=1,i-1=N,重复执行S1-S2;否则,令i=i+1,重复执行S1-S2;其中,所述N为栅极驱动线的总数量,所述i和N均为正整数。
本发明的有益效果为:
本发明提供的一种液晶面板像素充电方法及终端,在对第i行栅极驱动线驱动的像素充电前,需要判断其相对于第i-1行栅极驱动线驱动的像素是否存在重载,若存在则增大预设矩形脉冲的最大电压,并通过增大电压后的矩形脉冲对第i行栅极驱动线驱动的像素进行充电,以解决由于Dual Gate(双栅极)面板的Gate(栅极驱动线)翻倍和Source(源极驱动线)减半,导致相同分辨率下,像素的充电时间减半,在某些画面,比如重载画面上就会出现像素充电不足的情况,从而提高液晶面板的显示画面的质量。
附图说明
图1为根据本发明实施例的一种液晶面板像素充电方法的主要步骤示意图;
图2为根据本发明实施例的一种液晶面板像素充电终端的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811635085.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。