[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极设置在所述衬底上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极以及所述衬底之上，所述有源层覆盖部分所述栅极绝缘层，所述源极和所述漏极均设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之上，所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层，所述第二有源层与所述栅极绝缘层接触，所述第一有源层和所述第二有源层均为铟镓锌氧化物层，且所述第一有源层和所述第二有源层均由铟元素、镓元素、锌元素、以及氧元素构成，所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例不相等，所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例和所述第二有源层中铟、镓和锌的元素比例不同；

所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例为1：(2～5)：8；

所述第二有源层中铟、镓和锌的元素比例均相等。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层的覆盖区域相同。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极通过湿法刻蚀而形成。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极上还设置有钝化层和像素电极。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层和权利要求5所述的阵列基板，所述液晶层夹设在所述彩膜基板和所述阵列基板之间。

7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次沉积栅极和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次形成第二有源层和第一有源层，所述第一有源层和所述第二有源层均为铟镓锌氧化物层，且所述第一有源层和所述第二有源层均由铟元素、镓元素、锌元素、以及氧元素构成，所述第一有源层和所述第二有源层共同组成有源层，其中，所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例不等，所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例和所述第二有源层中铟、镓和锌的元素比例不同；

在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成源极和漏极；

所述第一有源层中铟、镓和锌的元素比例为1：(2～5)：8；

所述第二有源层中铟、镓和锌的元素比例均相等。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成源极和漏极，具体包括：

利用湿法刻蚀在所述有源层和所述栅极绝缘层上形成所述源极和所述漏极。