[发明专利]一种远紫外高反射镜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811635662.0 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109628894B 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 杜建立;张锦龙;王金艳;焦宏飞;程鑫彬;王占山 申请(专利权)人: 润坤(上海)光学科技有限公司;同济大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/26;C23C14/06;C23C14/58;G02B5/08
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 杨宏泰
地址: 201108 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 紫外 反射 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)清洗基板:将基板进行超声清洗后用N2吹干待用;

2)离子束流刻蚀基板:基板放入镀膜室后抽真空使气压低于10-4pa,采用离子束流刻蚀基板,通过刻蚀减少基板表面沉积的杂质和缺陷,用以改善基板表面的质量;

3)镀制Cr膜:在常温下,采用电子束蒸发方式镀制10-15nm的Cr膜,用以增加基板对Al膜的附着力;

4)镀制Al膜:在常温下,采用热蒸发方式加热熔化钨舟中的Al粒,通过晶振监控的方式控制基板上Al膜的镀制厚度为80-120nm;

5)控制和减少Al2O3氧化膜的形成:将镀膜室温度升高到180-220℃,烘烤整个镀膜室超过30分钟,用以降低镀膜室的水汽对Al膜氧化的影响,继续抽真空,使气压低于10-4pa,采用氩离子束流刻蚀Al膜生成Al2O3氧化膜,减小紫外波段的吸收;

6)镀制MgF2薄膜:采用电子束蒸发方式镀制20-30nm致密均匀的MgF2薄膜,并将镀制MgF2薄膜后的基板在镀膜机中冷却到室温;

7)退火处理:将镀制好的基板放入清洗干净的耐高温石英容器中,置于高温试验箱中抽真空使气压低于10-4pa,设置分步退火条件,将镀制MgF2薄膜后的基板在250-300℃退火3小时,具体包括以下步骤:

71)加热10分钟时升温到50℃;

72)再加热20分钟,使温度从50℃加热到100℃;

73)再加热30分钟,使温度从100℃加热到200℃;

74)再加热30分钟,使温度从200℃加热到300℃;

75)维持温度300℃,退火3小时;

76)降温到室温,完成整个退火过程;

8)储存:将退火处理后的基板,放入密封容器里充入N2,置于干燥柜中保存。

2.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤1)中,采用温度为40摄氏度弱碱性溶液清洗基板,并通过速率为50mm/min的慢提拉方式取出。

3.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤2)中,采用电压为450V、电流为600mA、氧气流量为0sccm、氩气流量为20sccm的离子束流刻蚀基板10分钟。

4.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤3)中,施加140mA电流,以7-10A/s的速率镀制Cr膜。

5.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤4)中,施加450mA电流,热蒸发钨舟中纯度为99.999%的Al粒,使Al粒以10-20A/s的速率蒸发镀制Al膜。

6.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤5)中,采用电压为500V,电流为500mA,流量为25sccm的氩离子束流以5-8A/s的速率进行20s的Al膜刻蚀。

7.根据权利要求1所述的一种远紫外高反射镜的制备方法,其特征在于,所述的步骤6)中,在离子蚀刻氧化层后,施加30mA电流以速率7-10A/s镀制MgF2薄膜。

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