[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管，其特征在于：包括从上至下依次设置的正面阳极、P+浓硼区、N-淡磷区、N--外延层、N++衬底区、背面阴极，所述P+浓硼区、N-淡磷区开有左右对称的台面槽，所述N-淡磷区在两侧台面槽之间设有P-淡硼区。

2.根据权利要求1所述的一种快恢复二极管，其特征在于：所述快恢复二极管的制备方法包括以下步骤：

步骤1：外延材料的制备，外延片的衬底晶向为<1 1 1>，杂质为砷，电阻率为0.001-0.005Ω.cm，厚度为450-550um，外延杂质为磷，电阻率为5-8Ω.cm，厚度为25-40um；

步骤2：正面注入磷，正面注入磷剂量为1E11-1E12cm-2，注入能量为50-80KeV；

步骤3：一次氧化，硅片的工艺温度为1000-1150℃，氧化层厚度为1.4-2.0um；

步骤4：一次光刻，正面匀胶为100光刻胶，形成要求的光刻窗口；

步骤5：正面注入硼，正面注入硼剂量为1E13-1E14cm-2，注入能量为60-100KeV；

步骤6：硼再扩，硼再扩温度在1200-1250℃进行硼再扩推结，形成P-区；

步骤7：正面补硼，硅片正面涂覆液态硼源，在1050-1150℃的扩散炉中进行预沉积；

步骤8：铂扩散，硅片涂覆液态铂源，在900-970℃的扩散炉中进行铂扩散，工艺时间根据Trr时间要求进行调整；

步骤9：正面光刻刻槽，硅片正面、背面涂覆300胶，光刻曝光形成要求的槽；

步骤10：台面腐蚀，硅片在HF: HNO3:CH3COOH:发烟硝酸的体积比为（8-10）：（6-8）：（8-10）：（3-5）的腐蚀液中，进行台面腐蚀，槽深要求在15-40um，槽形貌完整，平滑；

步骤11：玻璃钝化，配置玻璃粉，进行上粉，低温预烧，擦粉，高温烧结等操作；

步骤12：正面光刻引线，正面匀胶为300光刻胶，形成要求的引线孔窗口；

步骤13：正面蒸铝，正面蒸发铝层厚度为5±0.03um或者7±0.05um；

步骤14：正面反刻，正面匀胶为100光刻胶，形成要求的反刻窗口；

步骤15：背面减薄，根据不同产品，进行背面减薄；

步骤16：背面蒸银，背面蒸银厚度分别为Ti=1400±200A，Ni=5000±500A，Ag=10000±1000A；

步骤17：合金，合金工艺条件为：525±10℃/25±10min；

步骤18：测试。