[发明专利]一种超高精度的带隙基准源电路

说明书

本发明涉及一种超高精度的带隙基准源电路，包括启动电路，主要电路，电阻电路以及分段补偿电路。本发明基于电阻电路利用电阻温度特性通过调节电阻比值得到乘数修调补偿曲线并实现乘数修调补偿技术，通过乘数修调补偿技术和五段分段补偿技术，对带隙基准源进行曲率补偿以获得超高精度的带隙基准源。本发明的优越性在于乘数修调补偿技术的实现无需增加附加电路，简便高效，在消除传统设计方法中电阻温度特性影响的同时，极大地改善了带隙基准源的精度。

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种超高精度的带隙基准源电路。

背景技术

带隙基准源作为精密电路系统的电源，参考电压等部分，其精度对系统的稳定性有着重要作用。为提高带隙基准源的精度，人们提出了多种对带隙基准源温度特性曲线进行曲率补偿的技术，但是仍然很难满足超高精度的应用要求。

发明内容

本发明的目的是提出一种超高精度的带隙基准源电路，该电路在高阶非线性补偿的基础上，采用乘数修调补偿技术和5段分段补偿技术，以克服现有技术的不足。

为了达到上述目的，本发明提出了一种超高精度的带隙基准源电路，包括启动电路，主要电路，电阻电路以及分段补偿电路，

主要电路具体包括第一差分运算放大器A1，第二差分运算放大器A2，第一双极型晶体管Q1，第二双极型晶体管Q2，第三双极型晶体管Q3，第一场效应晶体管P1，第二场效应晶体管P2，第三场效应晶体管P3，第四场效应晶体管P4，第五场效应晶体管P5，第六场效应晶体管P6，第七场效应晶体管P7，第八场效应晶体管P8，第九场效应晶体管P9，第十场效应晶体管P10，第十一场效应晶体管P11，第十二场效应晶体管P12，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第六电阻R6，第七电阻R7；

电阻电路具体包括第四电阻R4和第五电阻R5；

其中，A1的同相输入端接P2的漏极、通过R1连接Q2的发射极、通过R5连接Q3的发射极、通过R5连接P3和P6的漏极，反相输入端接P1的漏极、Q1的发射极、通过R4连接Q3的发射极，输出端接P1、P2、P3和P4的栅极；A2的同相输入端接Q1的发射极、P1的漏极、通过R4连接Q3的发射极、通过R4连接P3和P6的漏极，反相输入端通过R2接地、通过R3连接P5的漏极和栅极、通过R3连接P6和P7的栅极，输出端接P12的栅极，Q1、Q2及Q3的基极和集电极接地；

P1、P2、P3、P4、P5、P6和P7的源极接P9的漏极；P4和P7的漏极通过R6接地；P12的漏极接地，P12的源极接P8和P9的栅极、通过R7接P8的漏极、通过R7接P10和P11的栅极，P10的漏极接P8的源极，P11的漏极接P9的源极，P10和P11的源极接电源VDD。

进一步地，所述分段补偿电路为五段分段补偿电路，用于在5段连续温度区间内产生5段不同曲率的电压，分别在对应温度区间内补偿基准电压。

进一步地，所述电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7均由具有相同电阻值的多个分立电阻串联构成。

进一步地，所述R1，R2，R3，R4，R5的分立电阻阻值相同。

进一步地，所述R6的分立电阻阻值小于所述R2的分立电阻阻值。

进一步地，所述R4和R5的电阻值相同。

本发明由于采取了以上技术方案，利用乘数修调补偿技术大幅度提高带隙基准源精度的基础上，结合5段分段补偿技术，得到超高精度的温度特性曲线，可大幅度提高带隙基准源的精度，保证整体系统的稳定性。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明：

图1本发明提供的一种超高精度的带隙基准源电路的基本结构电路图；