[发明专利]量子点发光二极管的制备方法有效
申请号: | 201811635964.8 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384306B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 张节;向超宇 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,将所述基板置于含有第一气体的惰性气氛环境中,在所述基板表面打印电子传输材料墨水,制备电子传输层,所述第一气体选自酯类气体,所述酯类气体选自甲基丙烯酸甲酯气体、丁烯酸乙酯气体、乙酸乙酯气体、苯甲酸甲酯气体中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述电子传输材料墨水中的电子传输材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述第一气体占整体气体气氛的摩尔百分含量为0.005%-3%。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述第一气体占整体气体气氛的摩尔百分含量为0.01%-0.1%。
5.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,将所述基板置于含有第一气体的惰性气氛中,在温度为10℃-80℃的条件下,在所述基板表面打印电子传输材料墨水,制备电子传输层。
6.如权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,将所述基板置于含有第一气体的惰性气氛中,在温度为30℃-50℃的条件下,在所述基板表面打印电子传输材料墨水,制备电子传输层。
7.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述惰性气氛为氦气气氛、氖气气氛、氩气气氛、氪气气氛或氮气气氛。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择