[发明专利]透明导电氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种透明导电氧化物TCO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

按照第一预设条件按第一预设时间进行沉积，获得第一层子TCO薄膜的步骤，所述第一预设条件包括第一氧氩比；

按照第二预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第二预设时间进行沉积，获得第二层子TCO薄膜的步骤，所述第二预设条件包括第二氧氩比，所述第二氧氩比大于所述第一氧氩比。

2.根据权利要求1所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一层子TCO薄膜为氧化铟锡ITO薄膜和锆掺杂氧化铟锡ITO：Zr薄膜中的任一种，所述第二层子TCO薄膜为ITO薄膜和ITO：Zr薄膜中的任一种；

当所述第一层子TCO薄膜和所述第二层子TCO薄膜均为ITO薄膜时，所述第一氧氩比大于或等于1％且小于3％，所述第二氧氩比大于或等于7％且小于9％；

当所述第一层子TCO薄膜和所述第二层子TCO薄膜均为ITO：Zr薄膜时，所述第一氧氩比大于或等于0.5％且小于1％，所述第二氧氩比大于或等于2％且小于2.5％。

3.根据权利要求1或2所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一预设条件还包括：本底真空度至少达到9×10^-4Pa，制程功率大于0且小于15kW，沉积速率大于0且小于1.5nm/s，压强大于或等于0.2Pa且小于0.8Pa；

所述第一预设时间大于0且小于或等于5分钟；

所述第二预设条件还包括：本底真空度至少达到9×10^-4Pa，制程功率大于0且小于15kW，沉积速率大于0且小于1.5nm/s，压强大于或等于0.2Pa且小于0.8Pa；

所述第二预设时间大于0且小于或等于5分钟。

4.根据权利要求1所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述TCO薄膜的制备方法还包括：

在所述获得第二层子TCO薄膜的步骤之前，按照第三预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第三预设时间进行沉积，获得第三层子TCO薄膜的步骤，所述第三预设条件包括第三氧氩比，所述第三氧氩比大于所述第一氧氩比且小于所述第二氧氩比；

在所述获得所述第三层子TCO薄膜的步骤之后，按照所述第二预设条件在所述第三层子TCO薄膜上按所述第二预设时间进行沉积，形成所述第二层子TCO薄膜的步骤。

5.根据权利要求4所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第三层子TCO薄膜为ITO薄膜和ITO：Zr薄膜中的任一种；

当所述第三层子TCO薄膜为ITO薄膜时，所述第三氧氩比大于或等于3％且小于7％；

当所述第三层子TCO薄膜为ITO：Zr薄膜时，所述第三氧氩比大于或等于1％且小于2％。

6.根据权利要求4或5所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第三预设条件还包括：本底真空度至少达到9×10^-4Pa，制程功率的范围为大于0且小于15kW，沉积速率的范围为大于0且小于1.5nm/s，压强大于或等于0.2Pa且小于0.8Pa；

所述第三预设时间大于或等于1.5分钟且小于或等于3分钟。

7.根据权利要求4所述的TCO薄膜的制备方法，其特征在于，所述TCO薄膜的制备方法还包括：

按照第四预设条件在所述第一层子TCO薄膜上按第四预设时间进行沉积，获得第一层过渡TCO薄膜层的步骤，所述第四预设条件包括第四氧氩比，所述第四氧氩比大于所述第一氧氩比；

按照第五预设条件在所述第一层过渡TCO薄膜层上按第五预设时间进行沉积，获得第二层过渡TCO薄膜层的步骤，所述第五预设条件包括第五氧氩比，所述第五氧氩比大于所述第四氧氩比且小于所述第二氧氩比；

由所述第一过渡TCO薄膜层和所述第二TCO薄膜层形成所述第三层子TCO薄膜；

在所述获得所述第二层过渡TCO薄膜层的步骤之后，按照所述第二预设条件在所述第二层过渡TCO薄膜层上按所述第二预设时间进行沉积，形成所述第二层子TCO薄膜的步骤。