[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基体；

覆盖所述半导体基体的上表面的第一金属层，以作为所述半导体器件的第一电极；

覆盖所述半导体基体的下表面的第二金属层，以作为所述半导体器件的第二电极；

位于所述半导体基体中的耗尽结构；所述耗尽结构不作为所述半导体器件的电极；

增加所述半导体基体的掺杂浓度以减小所述第一金属层和所述第二金属层之间正向导通时的压降；以及

当在所述第二金属层和所述第一金属层之间施加反向电压时，通过所述耗尽结构辅助耗尽所述半导体基体，以保证所述第二电极和所述第一电极间之间的反向耐压要求。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，设置所述耗尽结构的浓度和/或形状使其为一不均匀的结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽结构由导电材料组成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽结构与所述第一金属层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽结构由所述第一金属层和所述半导体基体的交界面延伸至所述半导体基体的内部，并截止至所述半导体基体的内部。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述耗尽结构被配置为沟槽结构，包括：

位于所述沟槽结构的底部和内侧壁表面上的绝缘层；以及

位于所述绝缘层的表面上的导电半导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，靠近所述第一金属层和所述半导体基体的交界面的所述导电半导体层的浓度大于远离所述第一金属层和所述半导体基体的交界面的所述导电半导体层的浓度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，靠近所述第一金属层和所述半导体基体的交界面的所述导电半导体层的宽度大于远离所述第一金属层和所述半导体基体的交界面的所述导电半导体层的宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述导电半导体层的宽度由上至下递减。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层为氧化物层。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述导电半导体层为多晶硅层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

由所述第一金属层和所述半导体基体的交界面延伸至所述半导体基体的内部，并截止至所述半导体基体的内部的第一半导体区；

所述第一半导体区与所述耗尽结构的外侧壁相邻；以及

由所述第一金属层和所述半导体基体的交界面延伸至所述第一半导体区的内部，并截止至所述第一半导体区的内部的第二半导体区。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于相邻的两个第一半导体区之上的第一半导体层；以及

位于所述第一半导体层之上的第二半导体层；

所述第一半导体层，所述第二半导体层，所述第一半导体区和所述第二半导体区形成一类MOS沟道结构。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层覆盖所述第一半导体层，所述第二半导体层，所述第一半导体区，所述第二半导体区和所述耗尽结构。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基体包括N型轻掺杂的半导体层和位于所述N型轻掺杂的半导体层的下表面的N型重掺杂的半导体层，所述第二金属层位于所述N型重掺杂的半导体层的下表面；所述耗尽结构位于所述N型轻掺杂的半导体层内。