[发明专利]一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法在审

专利信息
申请号: 201811638191.9 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109738469A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 李文涛;陈子天;郭素 申请(专利权)人: 赛纳生物科技(北京)有限公司
主分类号: G01N23/22 分类号: G01N23/22;G01N23/2202;C12Q1/6869;C12M1/34;C12M1/00
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 肖佳
地址: 100744 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 致密性 检测 酸性刻蚀液 刻蚀 微坑 基因测序 穿孔 放入 筛选 应用
【权利要求书】:

1.一种FOP表面微坑镀膜的致密性检测方法,包括,利用酸性刻蚀液刻蚀FOP表面,形成微坑结构;微坑结构所在表面镀二氧化硅薄膜;将镀膜的FOP放入酸性刻蚀液中刻蚀;

检测刻蚀穿孔。

2.根据权利要求1所述的方法,所述FOP微坑的开口直径或者边长为1-6微米,优选1.5-5微米,更优选1.8-3.8微米,更优选2.3-3.2微米。

3.根据权利要求1所述的方法,所述FOP微坑的酸性刻蚀液中刻蚀时间为0.5-5h;优选0.6-4小时,更优选0.8-3小时,更优选1-2小时。

4.根据权利要求1所述的方法,所述所述酸性刻蚀液包括盐酸、硝酸中的至少一种;所述酸性刻蚀液的浓度范围为0.5≤M≤3mol/L。

5.一种基因测序芯片,包括以FOP为基底的反应区;所述FOP基底的表面有微坑;微坑所在的FOP的表面有二氧化硅薄膜层,厚度为0.3-3微米;所述二氧化硅薄膜层能够阻挡酸性刻蚀液的刻蚀;酸性刻蚀液的浓度为Mmol/L,二氧化硅薄膜层的厚度为N微米,刻蚀时间为H小时,满足公式MH≥5N;所述酸性刻蚀液包括盐酸、硝酸中的至少一种;所述酸性刻蚀液的浓度范围为0.5≤M≤3mol/L。

6.根据权利要求5所述的芯片,其特征在于,所述二氧化硅薄膜层厚度为N微米,微坑的直径或者边长为P微米,满足公式3P≥6N≥P。

7.根据权利要求5所述的芯片,其特征在于,所述镀膜厚度为N微米,微坑的深度为Q微米,满足公式Q≤6N。

8.一种基因测序方法,包括,提供以FOP为基底的基因测序芯片;提供第一测序试剂;提供第一密封油液;在芯片的一侧设置光源,另一侧设置物镜;其中,所述所述的以FOP的一个表面有预先刻蚀好的微坑,并且其表面有二氧化硅薄膜层;所述二氧化硅薄膜层能够阻挡酸性刻蚀液的刻蚀;物镜聚焦于FOP的另一个表面;摄像系统通过物镜获得测序反应信息。

9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,酸性刻蚀液的浓度为Mmol/L,二氧化硅薄膜层的厚度为N微米,刻蚀时间为H小时,微坑的直径或者边长为P微米,微坑的深度为Q微米,满足公式3P≥6N≥P,以及公式Q≤6N,以及公式MH≥5N。

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