[发明专利]显示面板、电子设备及显示面板的制作方法有效
申请号: | 201811639086.7 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111384284B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 高洪;金武谦;赵勇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 电子设备 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板为叠层结构,包括基板、位于所述基板上方的薄膜晶体管层、位于所述薄膜晶体管层上方的像素定义层和位于所述像素定义层上方的发光结构;
所述发光结构包括间隔设置的多个透光区和发光区,其中,多个所述透光区用于对应光传感器;其中,
所述发光结构包括位于所述透光区的第一光提取层;
所述发光结构包括阴极,所述阴极的至少一部分位于所述透光区,其中,所述第一光提取层位于所述阴极的靠近所述基板的一侧;
所述发光结构还包括位于所述透光区的第二光提取层,其中,所述第二光提取层位于所述阴极的远离所述基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括对应于多个所述透光区的多个透光单元,所述第一光提取层在水平面上的投影面积大于或等于所述薄膜晶体管层中的透光单元在水平面上的投影面积。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,形成所述第一光提取层的材料为无机物或有机小分子。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,形成所述第二光提取层的材料为无机物或有机小分子。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述透光区的像素定义层和第一光提取层之间具有辅助发光层,所述辅助发光层由与所述透光区相邻的发光区中的辅助发光层的延伸构成。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极位于所述透光区和所述发光区。
7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1-6任一项所述的显示面板和光传感器。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述光传感器位于所述基板的远离所述薄膜晶体管层的一侧,所述光传感器为摄像头。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供基板;
形成位于所述基板上方的薄膜晶体管层;
形成位于所述薄膜晶体管层上方的像素定义层,所述像素定义层具有通孔;
形成位于所述通孔底部的阳极;
形成覆盖所述像素定义层和所述阳极的发光层,以形成间隔设置的多个透光区和发光区的发光结构;
在所述像素定义层顶部上方形成第一光提取层;
形成覆盖所述第一光提取层和所述发光层的阴极;覆盖所述阴极的第二光提取层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述像素定义层顶部上方形成第一光提取层的方法包括;
在所述发光层表面淀积透光保护材料;
去除位于所述阳极上方和所述像素定义层侧壁的透光保护材料,保留位于所述像素定义层顶部的透光材料,形成第一光提取层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择