[发明专利]一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池在审
申请号: | 201811639185.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111383945A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 李新连;刘德臣;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/463;H01L31/18;H01L31/0445;B23K26/362;B23K26/70 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 刻划 方法 制备 | ||
1.一种太阳能电池的刻线方法,其特征在于,包括:
提供太阳能电池,所述太阳能电池包括待刻划膜层,所述待刻划膜层包括位于边缘的非有效区域和与所述非有效区域相邻的有效区域;
采用第一控制参数对在所述非有效区域的待刻划膜层进行第一阶段刻划,形成第一刻划线,所述第一刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准;
采用第二控制参数从所述第一刻划线的末端继续刻划所述待刻划膜层,形成第二刻划线,所述第二刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准;
所述第一控制参数不同于所述第二控制参数,以使所述第一刻划线的深度不小于所述第二刻划线的深度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
采用第三控制参数从所述第二刻划线的末端继续对所述待刻划膜层进行第三阶段刻划,形成第三刻划线,所述第三刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准;
其中,所述第三控制参数不同于所述第一控制参数和所述第二控制参数,所述第三控制线的深度不小于所述第二刻划线的深度。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述待刻划膜层为以下各层中的一层:
光电转换层;
所述光电转换层及其表面的窗口层组成的复合层;和
背电极层。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
采用激光刻划方式刻划所述待刻划膜层,且所述控制参数包括刻划速度、激光强度和激光频率中的至少一项。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,采用机械刻划方式刻划所述待刻划膜层,且所述控制参数包括刻划压力和/或刻划速度。
6.根据权利要求3中所述的方法,其特征在于,当所述待刻划膜层为所述光电转换层时,
刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于0.8牛且小于或者等于5牛,优选的,刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于1.2牛且小于或者等于3牛;
刻划所述第二刻划线的刻划压力大于或者等于0.3牛且小于或者等于2牛,优选的,刻划所述第二刻划线的刻划压力大于或者等于0.6牛且小于或者等于1.5牛;
且刻划所述第一刻划线的刻划压力大于所述刻划所述第二刻划线的刻划压力。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
当所述待刻划膜层为所述复合层时,
所述第一阶段刻划的刻划压力大于或者等于1牛且小于或者等于5牛,
优选的,刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于1.3牛且小于或者等于3牛;
所述第二阶段刻划的刻划压力大于或者等于0.5牛且小于或者等于2牛,优选的,刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于0.8牛且小于或者等于2牛;
且刻划所述第一刻划线的刻划压力大于所述刻划所述第二刻划线的刻划压力。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,
刻划所述第一刻划线的刻划速度大于或者等于300毫米每秒且小于或者等于1000毫米每秒;
刻划所述第二刻划线的刻划速度大于或者等于500毫米每秒且小于或者等于2000毫米每秒;
且刻划所述第一刻划线的刻划速度小于所述刻划所述第二刻划线的刻划速度。
9.一种太阳能电池的制备方法,所述太阳能电池包括基板以及位于所述基板的背电极层、所述光电转换层及其表面的窗口层,其特征在于,所述方法包括:
在所述基板上沉积所述背电极层;
对所述背电极层进行第一次刻划,形成第一加工件;
在所述第一加工件上镀制所述光电转换层;
对所述光电转换层进行第二次刻划,形成第二加工件;
在所述第二加工件上镀制表面制备窗口层,形成第三加工件;
对所述第三加工件的所述光电转换层及其表面的窗口层进行第三次刻划,形成所述太阳能电池;
其中,所述第一次刻划、所述第二次刻划和所述第三次刻划中的至少一项,采用如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池的刻线方法。
10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池通过如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法制备形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造