[发明专利]传感芯片及其制备方法、检测系统、检测方法有效
申请号: | 201811639340.3 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109856087B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 周一;吴翔;张树宇;费义艳;陈晨 | 申请(专利权)人: | 复旦大学;厦门复光科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;G01N21/01 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感 芯片 及其 制备 方法 检测 系统 | ||
1.一种传感芯片,其特征在于,包括:
低折射率基底层,所述基底层的折射率小于石英的折射率,所述基底层的材料为紫外胶;
周期性波导光栅结构,位于所述基底层上,所述周期性波导光栅结构包括光栅脊、以及保形覆盖所述光栅脊和基底层的高折射率膜,所述高折射率膜的折射率大于或等于1.8,所述光栅脊和所述基底层为一体结构。
2.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述基底层的折射率为1.3至1.4。
3.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述基底层的厚度为2μm至5μm。
4.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述高折射率膜的折射率为2至2.7。
5.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述高折射率膜的厚度为20nm至30nm。
6.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述高折射率膜的材料为氮化硅或二氧化钛。
7.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述光栅脊的光栅周期为400nm至600nm,所述光栅脊的占空比为0.3至0.7。
8.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述光栅脊的高度为100nm至200nm。
9.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述传感芯片还包括:支撑层;所述基底层位于所述支撑层上。
10.如权利要求9所述的传感芯片,其特征在于,所述支撑层呈透明状。
11.如权利要求9所述的传感芯片,其特征在于,所述支撑层的材料为石英或玻璃。
12.如权利要求9所述的传感芯片,其特征在于,所述传感芯片还包括:固定于所述支撑层上的壳体,所述壳体与所述支撑层围成微腔;所述基底层和所述周期性波导光栅结构位于所述微腔中;
其中,沿所述光栅脊延伸方向上,所述壳体的两个相对的侧壁具有开口,一个侧壁中的开口作为液体流入口,另一个侧壁中的开口作为液体流出口,所述开口由对应侧壁和支撑层顶部围成。
13.如权利要求1所述的传感芯片,其特征在于,所述传感芯片适于检测生物分子,所述传感芯片还包括:位于所述高折射率膜表面的修饰层,适于吸附待测生物分子。
14.一种传感芯片的制备方法,其特征在于,包括:
形成低折射率基底层以及位于所述基底层上的光栅脊,所述基底层的折射率小于石英的折射率,所述基底层的材料为紫外胶,所述光栅脊和所述基底层为一体结构;
形成保形覆盖所述光栅脊和基底层的高折射率膜,所述高折射率膜的折射率大于或等于1.8,所述高折射率膜和光栅脊用于构成周期性波导光栅结构。
15.如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,采用蒸镀工艺形成所述高折射率膜。
16.如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,形成所述基底层之前,还包括:提供支撑层;在所述支撑层上形成所述基底层。
17.如权利要求16所述的制备方法,其特征在于,形成所述基底层和光栅脊的步骤包括:在所述支撑层上涂布低折射率材料层,所述低折射率材料层的折射率小于石英的折射率;
对所述低折射率材料层进行压印处理,压印处理后的剩余低折射率材料层作为所述基底层,位于所述基底层上的多个凸起作为所述光栅脊。
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