[发明专利]一种薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法

权利要求书

1.一种薄膜电路及其溅射金属涂层的形成方法，所述溅射金属涂层为TiW/Au、TiW/Ni/Au或TaN/TiW/Ni/Au的复合膜层，其特征在于，所述薄膜电路的溅射金属涂层形成方法包括以下步骤：

步骤1、清洗：将所需材料及尺寸的薄膜电路基板以及所述金属靶材分别放入一溅射机的一送样室以及一反应室中，将所述送样室中的薄膜电路基板采用等离子蚀刻清洗，去除所述薄膜电路基板上的污物；

步骤2、抽真空：清洗完成后，所述送样室中的一机械手将所述薄膜电路基板送至所述反应室中，对反应室抽真空使得反应室的真空度低于6.0×10^-4Pa；

步骤3、预溅射：向反应室通入氩气或氩气氮气混合气，设置各个金属层的溅射功率及溅射时间，加热温度至250℃恒定，；开启溅射电源进行预溅射，以将靶材表面的氧化层或其他杂质成分消除；

步骤4、溅射：当预溅射结束后开始启辉溅射，在薄膜电路基板上溅射形成一溅射金属涂层；

步骤5、调压：将反应室里面的氩气或氩气氮气混合气抽出，当真空度达到原设定的值后就开始重新充入所需工作气体；

步骤6、循环：循环步骤3、4、5，直至形成设定的溅射金属涂层；

步骤7、抽气冷却：抽出所述反应室中气体，溅射完成后的薄膜电路基板自然冷却至150℃后，取出基板；

所述金属靶材的溅射条件分别满足：

TaN：溅射功率为200W、溅射时间为240S、溅射气压为10Pa，气体流量(sccm)比例：氮气：氩气＝2：100；

TiW：溅射功率200W、溅射时间240S、溅射气压为10Pa，气体流量为氩气＝100sccm；

Ni：溅射功率400W、溅射时间900S、溅射气压为10Pa，气体流量为氩气＝100sccm；

Au：溅射功率200W、溅射时间240S、溅射气压为10Pa，气体流量为氩气＝100sccm。

2.如权利要求1所述的薄膜电路溅射金属涂层的形成方法，其特征在于，所述溅射金属涂层使用靶材纯度满足：Ta：99.9％；TiW：99.9％；Ni：99.9％；Au：99.99％。

3.如权利要求1所述的薄膜电路溅射金属涂层的形成方法，其特征在于，所述等离子刻蚀清洗时间为60s。

4.如权利要求1所述的薄膜电路溅射金属涂层的形成方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度范围分别为：Ni：1.0±0.3(μm)、Au：2.0±0.5(μm)。

5.如权利要求1所述的薄膜电路溅射金属涂层的形成方法，其特征在于，所述预溅射时间为60s。

6.一种薄膜电路，包括薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的溅射金属涂层，所述溅射金属涂层为TiW/Au、TiW/Ni/Au或TaN/TiW/Ni/Au的复合膜层，其特征在于，所述溅射金属涂层采用权利要求1-4任一项所述薄膜电路溅射金属涂层的形成方法形成。