[发明专利]一种薄膜电路及其复合金属膜层的溅射方法

权利要求书

1.一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于：其包括以下步骤：

A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板、预定数量的金属靶材，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；

B、置料：将所述薄膜电路基板以及所述金属靶材分别放入一溅射机的一送样室以及一反应室中；

C、清洗:所述薄膜电路基板在所述送样室中采用等离子蚀刻清洗,去除所述薄膜电路基板上的污物；

D、送片:清洗完成后，所述送样室中一机械手抓取所述薄膜电路基板至所述反应室中；

E、抽真空：调节所述反应室内真空度小于6.0×10∧-4Pa；

F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；

G、预溅、调压：对所述金属靶材进行预溅，使得所述金属靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；并同时通入与所述金属靶材溅射所需的预定流量的氩气以及预定流量的氮气；

H、正面、侧壁溅射：所述金属靶材按所述溅射机设定的溅射顺序以预定的溅射功率、溅射气体流量比和溅射时间开始溅射，对所述薄膜电路基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射，每溅射一种金属靶材便形成一金属膜层，溅射完成一金属膜层后抽出所述反应室中气体至步骤E中真空度，接着重复步骤G，最后一种金属靶材溅射完后，在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一复合金属膜层；

I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述薄膜电路基板进行正反面对换，并对该薄膜电路基板的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行溅射，溅射方法同步骤H，使得该薄膜电路基板所述正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的复合金属膜层；

J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述薄膜电路基板自然冷却至150℃；

K、取片：所述机械手将溅射好的所述薄膜电路基板从所述反应室取至所述送样室。

2.如权利要求1所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于，所述金属膜层为TaN层或TiW层或Ni层或Au层。

3.如权利要求2所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于，所述复合金属膜层由内至外依次为TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。

4.如权利要求3所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于，所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TaN层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝2:100。

5.如权利要求3所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TiW层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。

6.如权利要求3所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Ni层时的溅射功率设置为400瓦，溅射时间设置为900秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。

7.如权利要求3所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Au层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。

8.如权利要求3中任意一项所述的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度范围分别为：Ta层:TiW层:Ni层:1.0±0.3(μm)、Au层:2.0±0.5(μm)。