[发明专利]一种反射率自调节生产黑硅产品的系统有效
| 申请号： | 201811641160.9 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109768004B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 邵玉林;邱凯坤;张三洋 | 申请（专利权）人： | 无锡琨圣智能装备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 吴忠义 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 调节 生产 产品 系统 | ||
1.一种反射率自调节生产黑硅产品的系统，包括PLC控制器、气泡传感器(3)、人机界面(2)、循环泵(6)、补液装置(4)、进篮机械手(7)、出篮机械手(1)，所述气泡传感器(3)分别设置在挖孔槽与扩孔槽内，且与PLC控制器电性连接，采用双向传输方式相互反馈信号，所述人机界面(2)设置在黑硅机台上，与PLC控制器电性连接，且采用双向传输方式相互反馈信号，所述进篮机械手(7)，出篮机械手(1)均与PLC控制器电性连接，且均采用双向传输方式相互反馈信号，所述循环泵(6)设置在挖孔槽底部与PLC控制器电性连接，且采用单向传输方式反馈信号，所述补液装置(4)设置在黑硅机台外部，与PLC采用单向传输方式反馈信号，通过人机界面(2)设定进篮机械手(7)放至挖孔槽至气泡开始产生的时间为t1,挖孔槽工艺时间t根据以下公式自动调整，当t1小于100秒则t＝220-(100-t1)相反的当t1大于100秒则工艺时间t按照公式t＝220+(t1-100)进行修正，同样的设定扩孔时间当s1小于30秒则扩孔槽工艺时间s按照公式s＝100-(30-s1)进行修正，反之按照s＝100+(s1-30)进行自动修正，从而实现了对硅片生产过程中对反射率的工艺偏移的自动调整。
2.根据权利要求1所述的一种反射率自调节生产黑硅产品的系统，其特征在于，所述PLC控制器型号为DVP24SV11T2。
3.根据权利要求1所述的一种反射率自调节生产黑硅产品的系统，其特征在于，所述气泡传感器(3)型号为A230，材质为PVDF。
4.根据权利要求1所述的一种反射率自调节生产黑硅产品的系统，其特征在于，所述循环泵(6)型号为AMX-441FEAAV-1，功率为0.75KW电压为380V。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
