[发明专利]一种自带相移的正交压控振荡器电路在审
申请号: | 201811641561.4 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN109525198A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 李超;薛泉;吴亮;廖绍伟 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12;H03B5/04 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压控振荡器 电路 相移 正交压控振荡器 谐振电路 振荡电路 注入锁定 振荡器 自带 压控电流源电路 调谐 输入输出端口 电路结构 交叉耦合 相位噪声 信号通过 正交信号 耦合 低频段 电连接 输出 | ||
1.一种自带相移的正交压控振荡器电路,包括结构相同的第一压控振荡器和第二压控振荡器,所述第一压控振荡器和第二压控振荡器通过输入输出端口相互连接;其中,所述第一压控振荡器包括彼此电连接的第一交叉耦合振荡电路、第一注入锁定电路、第一谐振电路和第一压控电流源电路,其特征在于:
所述第一交叉耦合振荡电路由四个晶体管构成,其中第一晶体管(101)的栅极和第三晶体管(103)的栅极共同连接到偏置电压(Vb),所述第一晶体管(101)的漏极通过第一结点(A)连接到第四晶体管(104)的栅极,所述第三晶体管(103)的漏极通过第二结点(B)连接到第二晶体管(102)的栅极,所述第二晶体管(102)的源极通过第三结点(C)连接到第四晶体管(104)的源极。
2.根据权利要求1所述的一种自带相移的正交压控振荡器电路,其特征在于:所述第一注入锁定电路由四个晶体管构成,第五晶体管(105)的栅极和第七晶体管(107)的栅极共同连接到偏置电压(Vb),所述第五晶体管(105)的漏极连接到第一结点(A),所述第七晶体管(107)的漏极连接到第二结点(B),第六晶体管(106)的源极通过第四结点(D)连接到第八晶体管(108)的源极,所述第六晶体管(106)的栅极连接到正正交输入端口,所述第八晶体管(108)的栅极连接到负正交输入端口。
3.根据权利要求1所述的一种自带相移的正交压控振荡器电路,其特征在于:所述第一谐振电路还包括第一中间抽头电感(109),所述第一中间抽头电感(109)的两端分别连接第一结点(A)和第二结点(B),中间抽头连接电源电压。
4.根据权利要求2所述的一种自带相移的正交压控振荡器电路,其特征在于:所述第一压控电流源电路包括第一交叉耦合电流源和第一注入锁定电流源,其中第九晶体管(110)的漏极连接第三结点(C),源极接地,栅极接第一控制电压(V1)构成第一交叉耦合电流源;第十晶体管(111)漏极连接第四结点(D),源极接地,栅极接第二控制电压(V2)构成第一注入锁定电流源。
5.根据权利要求1所述的一种自带相移的正交压控振荡器电路,其特征在于:所述第二压控振荡器包括彼此电连接的第二交叉耦合振荡电路、第二注入锁定电路、第二谐振电路和第二压控电流源电路,与第一压控振荡器结构相同,并且在所述第二注入锁定电路中,第十六晶体管(117)的栅极连接到正同相输入端口,第十八晶体管(119)的栅极连接到负同相输入端口。
6.根据权利要求1所述的一种自带相移的正交压控振荡器电路,其特征在于:所述第一压控振荡器的第一结点(A)连接到负同相输出端口,所述第一负同相输出端口连接到第二压控振荡器的负同相输入端口;所述第一压控振荡器的第二结点(B)连接正同相输出端口,所述第一正同相输出端口连接到第二压控振荡器的正同相输入端口;所述第二压控振荡器的第五结点(E)连接到正正交输出端口,所述第二正正交输出端口连接到第一压控振荡器的正正交输入端口;所述第二压控振荡器的第六结点(F)连接到负正交输出端口,所述负正交输出端口连接到第一压控振荡器的负正交输入端口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811641561.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。