[发明专利]一种基板埋入式功率器件封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基板埋入式功率器件封装结构，包括：

基板，所述基板具有金属化通孔和第一功率芯片嵌入槽；

第一功率芯片，所述第一功率芯片设置在所述第一功率芯片嵌入槽内；

光可成像电介质PID，所述光可成像电介质PID覆盖所述基板的上下两面，且在所述金属化通孔和所述第一功率芯片的电极的对应位置设置有上开口和下开口；

上金属层，所述上金属层设置在所述光可成像电介质PID的上面和所述上开口中，与所述第一功率芯片的第一面电极以及所述金属化通孔形成电互连；

下金属层，所述下金属层设置在所述光可成像电介质PID的下面和所述下开口中，与所述第一功率芯片的第二面电极以及所述金属化通孔形成电互连；

上阻焊层，所述上阻焊层覆盖所述上金属层；

下阻焊层，所述下阻焊层覆盖所述下金属层；以及

金属化焊盘。

2.如权利要求1所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述基板为PCB芯板。

3.如权利要求1所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述基板还包括第二功率芯片嵌入槽。

4.如权利要求3所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，还包括第二功率芯片，所述第二功率芯片设置在所述第二功率芯片嵌入槽内。

5.如权利要求1或4所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述光可成像电介质PID进入所述金属化通孔的中空部、第一功率芯片与第一功率芯片嵌入槽之间的间隙以及第二功率芯片与第二功率芯片嵌入槽之间的间隙。

6.如权利要求1所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述第一功率芯片的第一面电极为第一功率芯片漏极；所述第一功率芯片的第二面电极为第一功率芯片的源极和栅极。

7.如权利要求1所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述金属化焊盘设置成与上金属层和/或下金属层电连接。

8.如权利要求1所述的基板埋入式功率器件封装结构，其特征在于，所述上开口和下开口是孔状、条状或块状。

9.一种基板埋入式功率器件封装结构的制造方法，包括：

在PCB芯板上形成金属化通孔和芯片嵌入槽；

在PCB芯板的芯片嵌入槽能埋置功率芯片；

双面层压光敏介质材料形成光可成像电介质PID；

形成功率芯片电极和金属化通孔的电镀窗口；

形成双面电镀种子层；

图形化电镀形成上金属层和下金属层；

去除裸露的电镀种子层；

形成双面阻焊层；以及

形成金属化焊盘。

10.如权利要求9所述的基板埋入式功率器件封装结构的制造方法，其特征在于，所述上金属层电互连至所述功率芯片第一面电极；所述下金属层电互连至所述功率芯片的第二面电极。