[发明专利]晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法

权利要求书

1.一种晶体硅双面电池的热处理方法，其特征在于：

将待处理的晶体硅双面电池加热至第一阈值温度，所述晶体硅双面电池包括硅基底、设置在所述硅基底两侧表面的正面金属化层与背面金属化层，所述硅基底的电阻率设置为0.3～0.8Ω·cm，所述背面金属化层的遮光率不超过23%；

继续升温，同时对晶体硅双面电池通入正向电流；

将前述晶体硅双面电池进行保温处理，所述保温处理过程包括至少两个子阶段，其中，所述继续升温是指将晶体硅双面电池的温度升高至第一个子阶段的既定温度；相邻所述子阶段的温度各不相同，且相邻所述子阶段的温差设置为50～200℃，所述保温处理过程中保持对晶体硅双面电池通入正向电流；

将完成保温处理的晶体硅双面电池冷却至第二阈值温度，再停止向晶体硅双面电池通入正向电流。

2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：所述第一阈值温度设置为100～400℃；所述第二阈值温度设置为80～150℃。

3.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：所述晶体硅双面电池通入的正向电流的电流密度设置为5～10000mA/cm²。

4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：将完成保温处理的晶体硅双面电池冷却至第二阈值温度的降温速率设置为2～15℃/s。

5.一种晶体硅双面电池，其特征在于：所述晶体硅双面电池采用如权利要求1-4任一项所述的热处理方法制得；所述背面金属化层包括相互垂直设置的背面主栅线与背面副栅线，所述背面副栅线的线宽设置为130～150µm，且相邻所述背面副栅线的间距设置为1.0～1.2mm。

6.根据权利要求5所述的晶体硅双面电池，其特征在于：所述背面主栅线包括首尾相接的第一主栅线段与第二主栅线段，所述第一主栅线段的宽度小于第二主栅线段的宽度。

7.根据权利要求6所述的晶体硅双面电池，其特征在于：所述第一主栅线段设置为铝栅线；所述背面副栅线设置为铝副栅线。

8.根据权利要求6所述的晶体硅双面电池，其特征在于：所述第二主栅线段包括银栅线。