[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，包括：

形成CMOS电路；以及

在所述CMOS电路上形成MEMS模块，所述CMOS电路与所述MEMS模块连接，用于驱动所述MEMS模块，

其中，形成所述MEMS模块的步骤包括：

形成保护层；

在所述保护层中形成牺牲层；

在所述保护层与所述牺牲层上形成第一电极，并形成所述第一电极与所述CMOS电路之间的电连接，所述第一电极覆盖所述牺牲层；

在所述第一电极上形成压电层，所述压电层与所述牺牲层的位置对应；

在所述压电层上形成第二电极，并形成所述第二电极与所述CMOS电路之间的电连接；

在所述第一电极或保护层上形成到达所述牺牲层的通孔；以及

经由所述通孔除去所述牺牲层形成空腔。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述牺牲层的步骤包括：

在所述保护层中形成开口；

将牺牲材料填充至所述开口；以及

去除所述开口外部的所述牺牲材料。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述牺牲材料包括磷硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的制造方法，在形成所述牺牲层的步骤之前，还包括在所述保护层上形成第一接触孔与第二接触孔，

所述第一电极通过所述第一接触孔与所述CMOS电路电连接，所述第二电极通过所述第二接触孔与所述CMOS电路电连接。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括：

在所述保护层与所述牺牲层上形成第一导电层；以及

将所述第一导电层图案化形成所述第一电极，

其中，所述第一电极的一部分位于所述第一接触孔中。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，形成所述第二电极的步骤包括：

在所述保护层与所述压电层上形成第二导电层；以及

将所述第二导电层图案化形成所述第二电极，

其中，所述第二电极的一部分位于所述第二接触孔中。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述空腔的步骤包括采用氢氟酸气相熏蒸工艺，经由所述通孔除去所述牺牲层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述压电层覆盖部分所述第一电极，并暴露所述通孔。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其中，形成所述CMOS电路的步骤包括：

在衬底上形成第一晶体管与第二晶体管；以及

在所述第一晶体管与所述第二晶体管上依次形成第一介质层、第一布线层、第二介质层以及第二布线层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在形成所述第一布线层之前，所述CMOS电路的步骤还包括在所述第一介质层中形成多个第一互联孔；

在形成所述第一布线层之后，所述CMOS电路的步骤还包括将所述第一布线层图案化，形成多个第一互联引线，所述第一互联引线通过所述第一互联孔与所述第一晶体管或所述第二晶体管接触。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在形成所述第二布线层之前，所述CMOS电路的步骤还包括在所述第二介质层中形成多个第二互联孔；

在形成所述第二布线层之后，所述CMOS电路的步骤还包括将所述第二布线层图案化，形成多个第二互联引线，所述第二互联引线的一端通过所述第二互联孔与所述第一互联引线相连，另一端延伸至所述第一接触孔与所述第二接触孔中。

12.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管通过所述第一互联引线相连。

13.根据权利要求1至12任一所述的制造方法，其中，所述保护层的刻蚀比大于二氧化硅。