[发明专利]一种氮化硅减反射薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811641950.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109728106A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 付传起;王宙;高越;杨梓健 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 毕进 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备方法和应用 减反射薄膜 氮化硅 制备 氮气 退火 石英玻璃基片 薄膜折射率 氮化硅薄膜 多晶硅薄膜 光电转化率 减反射效率 太阳能电池 薄膜表面 氮气流量 氮气气压 溅射沉积 领域拓展 真空系统 本征硅 硅靶材 可控性 硅片 靶材 放入 减小 反射 薄膜 太阳能 激光 发现 研究 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化硅减反射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对硅片进行预处理，将纯度为99.999％靶材和清洗好的玻璃片分别放置于真空系统的真空腔内的靶材支架与基片支架上；
(2)打开准分子激光器电源，调节各项参数，利用激光溅射的方法在硅片上沉积氮化硅减反射膜；
(3)利用SEM；XRD等仪器进行数据分析。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，调节真空系统内靶基距为45mm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，抽真空至压力小于1.0×10-4Pa。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，抽真空至1.0×10-5Pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，调节参数具体为：控制氮气气压在1-4Pa，退火温度在350-900℃，氮气流量5-50sccm，对靶材进行激光溅射，时间1-2h。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，控制氮气气压在1Pa，退火温度在700℃，氮气流量20sccm。
7.一种如权利要求1所述方法制备的氮化硅薄膜。
8.如权利要求1所述方法制备的氮化硅薄膜在太阳能电池领域上的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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