[发明专利]闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器有效
| 申请号： | 201811642832.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109887534B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘世军;于楠;陈敬沧;陈刚 | 申请（专利权）人： | 上海百功半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/14 | 分类号： | G11C8/14;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 徐秋平 |
| 地址： | 201409 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 边界 配置 方法 系统 存储 介质 控制器 | ||
1.一种闪存器件的边界字线配置方法，其特征在于，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：
以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为N层3D闪存结构；N为大于或等于16的正整数；
对所述单位结构配置边界字线的方法包括：
配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N-2字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N-2字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N-3字线层配置为SLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N-2字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N-3字线层配置为SLC存储单元使用属性，第3字线层和第N-4字线层配置为MLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第N-2字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第N-3字线层配置为SLC存储单元使用属性，第3字线层和第N-4字线层配置为MLC存储单元使用属性，第4字线层和第N-5字线层配置为TLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N-2字线层配置为SLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N-2字线层配置为SLC存储单元使用属性，第2字线层和第N-3字线层配置为MLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性；
配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第N-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第N-2字线层配置为SLC存储单元使用属性，第2字线层和第N-3字线层配置为MLC存储单元使用属性，第3字线层和第N-4字线层配置为TLC存储单元使用属性，其余字线层配置为QLC存储单元使用属性。
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